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NSS20200DMTTBG

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2 PNP (Dual) 100nA 20V 20V 2A WDFN-6 贴片安装
供应商型号: 488-NSS20200DMTTBGTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSS20200DMTTBG

NSS20200DMTTBG概述

    低VCE(sat) PNP晶体管:NSS20200DMT

    1. 产品简介


    NSS20200DMT是安森美(onsemi)公司e2PowerEdge系列的一部分,是一种具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的小型表面贴装器件。这些晶体管专为低电压、高速开关应用设计,特别适用于需要高效能能量控制的应用场合。典型应用包括DC-DC转换器、LED照明和电源管理等。在汽车行业,它们可用于安全气囊部署和仪表盘。NSS20200DMT凭借其高电流增益特性,可以直接由PMU控制输出驱动,并且具有线性增益(Beta),使其成为模拟放大器的理想组件。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 20 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 20 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 7 Vdc
    - 连续集电极电流 (IC): 2 A
    - 峰值集电极电流 (ICM): 3 A
    - 热特性
    - 结点至环境的热阻 (RJA): 60 °C/W
    - 单个封装的最大功率耗散 (PD): 2.10 W
    - 单个晶体管的最大功率耗散 (PD): 1.59 W
    - 结点和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 三极管的直流电流增益 (hFE):
    - IC = -100 mA, VCE = -2.0 V: 250
    - IC = -500 mA, VCE = -2.0 V: 210
    - IC = -1 A, VCE = -2.0 V: 160
    - IC = -2 A, VCE = -2.0 V: 100

    3. 产品特点和优势


    NSS20200DMT具备多种特点和优势:
    - AEC-Q101认证和PPAP能力:适合汽车及其他要求独特站点和控制变更的应用。
    - 湿敏引脚装置:增强的可焊性以提高可靠性。
    - 无铅、卤素及溴化物自由:符合RoHS标准,环保友好。
    - 高电流增益:直接驱动PMU控制输出,减少对外部驱动电路的需求。
    - 出色的电气性能:饱和电压低,确保高效的能量转换。

    4. 应用案例和使用建议


    NSS20200DMT被广泛应用于多种场合,例如:
    - DC-DC转换器:高效率的电压转换,降低能耗。
    - LED照明系统:快速响应和低饱和电压使其成为理想选择。
    - 汽车安全气囊和仪表盘:在关键时刻提供可靠操作。
    - 电源管理:高电流增益使得器件可以用于复杂电源系统的控制。
    建议在使用时注意:
    - 确保输入电压不超过规定值,避免损坏。
    - 注意散热,保持结温低于150°C。
    - 使用合适的驱动电路以充分发挥其性能。

    5. 兼容性和支持


    NSS20200DMT设计为与多种电子元件和系统兼容。安森美公司提供了全面的技术支持,包括免费电话咨询、电子邮件请求和技术资料下载。客户可以通过官网或客服热线获得详细的支持和服务信息。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 饱和电压过高 | 检查接线是否正确,确保驱动电路满足要求。 |
    | 工作温度超出范围 | 使用散热片或改进散热机制。 |
    | 无法正常启动 | 检查电源电压和驱动信号是否符合规范。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,NSS20200DMT是一款高性能的低VCE(sat) PNP晶体管,具有出色的电气特性和环境适应性。其高电流增益和低饱和电压特性使其非常适合于各种高端应用,如DC-DC转换器、LED照明和电源管理。强烈推荐在涉及高效能能量控制的应用中使用该产品。

NSS20200DMTTBG参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
最大功率耗散 -
VCBO-最大集电极基极电压 20V
晶体管类型 2 PNP (Dual)
集电极电流 2A
配置
最大集电极发射极饱和电压 390mV@ 200mA,2A
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 -
通用封装 WDFN-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSS20200DMTTBG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSS20200DMTTBG数据手册

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NSS20200DMTTBG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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6000+ $ 0.2417 ¥ 2.0227
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