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NVTFS5C658NLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NVTFS5C658NL系列, Vds=60 V, 109 A, WDFN封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 863-NVTFS5C658NLTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5C658NLTAG

NVTFS5C658NLTAG概述


    产品简介


    NVTFS5C658NL是一款由Semiconductor Components Industries, LLC设计和制造的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有60V的额定电压、5.0mΩ的最大导通电阻和高达109A的连续漏极电流能力。这款MOSFET采用小型封装(3.3 x 3.3 mm),适用于紧凑型设计。此外,NVTFS5C658NL通过了AEC-Q101认证并具备PPAP能力,确保其在汽车电子应用中的可靠性。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS):60V
    - 最大漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时:109A
    - TC = 100°C 时:77A
    - 连续功率耗散(PD):
    - TC = 25°C 时:114W
    - TC = 100°C 时:57W
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):440A
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+175°C
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):
    - TJ = 25°C 时:10μA
    - TJ = 125°C 时:250μA
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 50A 时:5.0mΩ
    - VGS = 4.5V, ID = 50A 时:7.3mΩ

    产品特点和优势


    - 小型封装:3.3 x 3.3 mm的小型尺寸使得设计更加紧凑。
    - 低RDS(on):5.0mΩ的导通电阻可以有效减少传导损耗。
    - 低电容:低输入电容(Ciss)有助于减少驱动损耗。
    - 湿气耐受性:NVTFS5C658NLWF特别针对潮湿环境进行了优化,确保良好的湿气耐受性。
    - 认证合规:AEC-Q101认证和RoHS合规保证其在关键应用中的可靠性。
    - 无铅和无卤素:这些材料的使用使其更加环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    NVTFS5C658NL非常适合用于汽车电子、电源转换器和逆变器等应用,这些应用要求高可靠性和小尺寸。例如,在电动汽车的电机控制器中,它可以提供高效的能量转换,同时占用较小的空间。
    使用建议:
    为了充分发挥NVTFS5C658NL的优势,建议在设计时注意以下几点:
    - 确保适当的散热管理以防止过热,特别是在高电流应用中。
    - 使用合适的PCB布局来降低寄生电感和电容的影响,从而提高开关性能。
    - 在可能的情况下,选择更大的铜散热片以提高热导率。

    兼容性和支持


    NVTFS5C658NL采用WDFN8封装,易于与其他标准电子元器件集成。制造商提供了详尽的技术文档和应用程序指南,帮助工程师进行设计。同时,ON Semiconductor公司提供了全面的技术支持,包括在线论坛、电话技术支持和电子邮件查询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进PCB布局。 |
    | 开关频率不达标 | 调整驱动电路,确保栅极电阻和电容的值合适。 |
    | 驱动信号不稳定 | 检查电源电压和栅极驱动电路,确保电压稳定且驱动信号清晰。 |

    总结和推荐


    总体来说,NVTFS5C658NL是一款高性能的功率MOSFET,具备高可靠性、低导通电阻和小尺寸等特点,非常适合需要高效能量转换和紧凑设计的应用。虽然初始成本较高,但考虑到其性能和可靠性,长期来看是值得投资的。因此,我强烈推荐在设计需要高效能量转换的电子产品时选用此产品。

NVTFS5C658NLTAG参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 50A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.935nF@25V
最大功率耗散 114W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 109A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 12nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 3.15mm(长度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5C658NLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5C658NLTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5C658NLTAG NVTFS5C658NLTAG数据手册

NVTFS5C658NLTAG封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.369 ¥ 20.0181
10+ $ 1.564 ¥ 13.2158
100+ $ 1.0163 ¥ 8.5876
250+ $ 0.9104 ¥ 7.6932
500+ $ 0.851 ¥ 7.1913
1500+ $ 0.7452 ¥ 6.2969
3000+ $ 0.6752 ¥ 5.705
9000+ $ 0.6615 ¥ 5.5897
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