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BD436T

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: PNP 36W 5V 100μA 32V 32V 4A TO-126 通孔安装
供应商型号: Q-BD436T
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) BD436T

BD436T概述

    电子元器件产品技术手册解析

    1. 产品简介


    本系列的塑料封装中功率硅PNP晶体管可用于放大和开关应用。它们包括BD436G、BD438G、BD440G和BD442G型号,这些型号具有不同的额定电压。对应的互补型号为BD437和BD441。

    2. 技术参数


    以下是产品的主要技术规格和技术参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压:BD436G为32V,BD438G为45V,BD440G为60V,BD442G为80V。
    - 集电极-基极电压:BD436G为32V,BD438G为45V,BD440G为60V,BD442G为80V。
    - 发射极-基极电压:5.0V。
    - 集电极电流:4.0A。
    - 基极电流:1.0A。
    - 总器件耗散:在25°C时为36W,超过25°C时每度减少288W/°C。
    - 工作及存储结温范围:-55至+150°C。
    - 热特性
    - 结到外壳的热阻:3.5°C/W。
    - 电气特性(25°C时)
    - 集电极-发射极击穿电压:BD436G为32V,BD438G为45V,BD440G为60V,BD442G为80V。
    - 集电极-基极击穿电压:BD436G为32V,BD438G为45V,BD440G为60V,BD442G为80V。
    - 发射极-基极击穿电压:5.0V。
    - 集电极截止电流:在VCB=32V、IE=0时,BD436G为0.1mAdc;在VCB=45V、IE=0时,BD438G为0.1mAdc。
    - 发射极截止电流:在VEB=5.0V时,BD436G为0.1mAdc。
    - 直流电流增益(IC=10mA,VCE=5.0V):BD436G为40,BD438G为30,BD440G为20,BD442G为15。
    - 直流电流增益(IC=500mA,VCE=1.0V):BD436G和BD438G均为85,BD440G和BD442G均为40。
    - 集电极饱和电压(IC=2.0A,IB=0.2A):BD436G和BD438G分别为0.5V,BD440G为0.8V,BD442G为0.8V。
    - 基极-发射极导通电压(IC=2.0A,VCE=1.0V):BD436G和BD438G为1.1V,BD440G和BD442G为1.5V。

    3. 产品特点和优势


    该系列晶体管具备以下特点和优势:
    - 无铅且符合RoHS标准。
    - 多种额定电压和电流选择以适应不同应用需求。
    - 具备良好的热特性,保证长期可靠运行。
    - 高直流电流增益,确保信号放大效果。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管适用于广泛的电子应用,如音频放大器、电源管理和控制电路等。具体使用建议如下:
    - 确保供电电压不超过最大额定值。
    - 使用适当的散热措施以避免过热。
    - 在高频率应用中,确保电流增益和带宽之间的平衡。

    5. 兼容性和支持


    这些产品与其他PNP晶体管具有相似的功能,可以方便地替换。制造商提供了详细的文档和支持,包括焊接和安装技术参考手册。用户可以通过官方网站获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方案如下:
    - 问题:晶体管过热。解决方案:增加散热片,改善通风条件。
    - 问题:放大效果不佳。解决方案:检查供电电压是否满足要求,确认负载是否适配。
    - 问题:启动不稳定。解决方案:检查基极电阻设置,调整为适当值。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这些中功率硅PNP晶体管具有较高的可靠性和优良的电气特性,在多种应用场合下表现出色。对于需要高电流增益和良好稳定性的应用来说,它们是一个理想的选择。因此,强烈推荐使用这些晶体管。
    通过上述解析,我们可以清楚地了解到这些PNP晶体管的各项技术和应用特性。它们不仅在性能上表现出色,而且在市场上也具有较强的竞争优势。

BD436T参数

参数
配置 -
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 32V
集电极电流 4A
VCEO-集电极-发射极最大电压 32V
集电极截止电流 100μA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 36W
最大集电极发射极饱和电压 0.5@ 200mA,2A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
通用封装 TO-126
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

BD436T厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

BD436T数据手册

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BD436T封装设计

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