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TIG064E8-TL-H

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 4.2V 7V@ 2.5V,100A ECH-8 贴片安装 2.9mm(长度)*2.3mm(宽度)
供应商型号: CY-TIG064E8-TL-H
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 TIG064E8-TL-H

TIG064E8-TL-H概述

    # SANYO TIG064E8 N-Channel IGBT 技术手册解析

    1. 产品简介


    SANYO TIG064E8 是一款高性能的N沟道绝缘栅双极型晶体管(IGBT),广泛应用于光控闪光灯等高效率开关电路中。这款IGBT以其低饱和电压、低电压驱动能力和内置门极到发射极保护二极管而闻名,适用于高速开关和功率转换需求。
    主要功能:
    - 低饱和电压:减少导通损耗。
    - 低电压驱动:最低仅需2.5V即可有效驱动。
    - 增强型设计:增强型结构确保更好的热稳定性。
    - 保护功能:内置门极到发射极保护二极管。
    应用领域:
    - 光控闪光灯
    - 高效电源开关
    - 汽车电子设备
    - 工业控制电路

    2. 技术参数


    以下是SANYO TIG064E8的关键技术参数汇总:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅极-发射极阈值电压 | VGE(off) | VCE=10V, IC=1mA | 0.4 | 0.9 V |
    | 栅极-发射极漏电流 | IGES | VGE=±4V, VCE=0V | -10 +10 | µA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC=100A, VGE=2.5V 4.2 | 7 | V |
    | 输入电容 | Cies | VCE=10V, f=1MHz 3100 pF |
    | 输出电容 | Coes | VCE=10V, f=1MHz 30 pF |
    | 反向转移电容 | Cres | VCE=10V, f=1MHz 23 pF |
    工作条件:
    - 工作温度范围:-40°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-40°C 至 +150°C
    - 最大集电极-发射极电压:400V

    3. 产品特点和优势


    TIG064E8 的关键优势如下:
    1. 低功耗设计:通过降低饱和电压和驱动电压要求,显著减少了功耗。
    2. 增强型可靠性:内置保护二极管,防止门极过压损坏。
    3. 紧凑封装:安装高度仅0.9mm,安装面积仅为8.12mm²,适合空间受限的应用场景。
    4. 高速开关性能:满足严格的dv/dt要求(<400V/µs),确保快速稳定的开关切换。
    这些特点使TIG064E8非常适合在高频、高效功率转换应用中使用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    TIG064E8 广泛应用于光控闪光灯中,作为关键的功率开关组件。其高效的开关性能能够显著提升闪光灯的亮度和响应速度。
    使用建议:
    - 确保在门极串联电阻RG≥160Ω时使用,以避免关断时的瞬态过压对器件造成损害。
    - 在电路设计中,选择合适的栅极驱动电阻和负载电容,确保dv/dt限制在400V/µs以内。
    - 注意电路布局优化,减少寄生电感的影响,提高系统的抗干扰能力。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - TIG064E8 支持标准JEITA和JEDEC封装规范,可直接替代其他同类产品。
    - 其兼容性使其适用于多种工业和消费级电子产品。
    厂商支持:
    - SANYO 提供详细的技术文档和完善的售后服务,帮助客户解决使用中的技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常dv/dt | 增大门极串联电阻RG,确保dv/dt < 400V/µs |
    | 发射极漏电流过大 | 检查电路板焊接质量,确保无虚焊 |
    | 设备启动后无法正常关断 | 检查驱动信号幅值和频率是否符合要求 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    SANYO TIG064E8是一款具有高可靠性和高效能的N沟道IGBT,特别适合需要低功耗、高速开关和紧凑设计的应用场景。其低饱和电压、内置保护功能以及良好的温度适应性使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐结论:
    TIG064E8 非常适合光控闪光灯及其他需要高速开关和高效能的电子设备。对于希望降低功耗和提高系统可靠性的工程师,TIG064E8 是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐将其纳入相关设计中。

TIG064E8-TL-H参数

参数
配置 -
集电极电流 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 7V@ 2.5V,100A
最大集电极发射极饱和电压 4.2V
长*宽*高 2.9mm(长度)*2.3mm(宽度)
通用封装 ECH-8
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

TIG064E8-TL-H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

TIG064E8-TL-H数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR TIG064E8-TL-H TIG064E8-TL-H数据手册

TIG064E8-TL-H封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.6422 ¥ 5.5259
300+ $ 0.6363 ¥ 5.4761
500+ $ 0.6304 ¥ 5.4264
1000+ $ 0.6127 ¥ 5.1774
5000+ $ 0.6127 ¥ 5.1774
库存: 1102604
起订量: 181 增量: 1
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