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FDD7N20TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 43W(Tc) 30V 5V@ 250µA 6.7nC@ 10 V 1个N沟道 200V 690mΩ@ 2.5A,10V 5A 250pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FL-FDD7N20TM
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD7N20TM

FDD7N20TM概述


    产品简介


    FDD7N20TM 是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的高性能N沟道增强型MOSFET,属于UniFET系列。该器件采用了平面条纹和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术,专为高电压应用设计。其低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷以及卓越的开关性能使其成为许多现代电力电子应用的理想选择。FDD7N20TM广泛应用于LCD/LED电视、消费类家电、照明系统、不间断电源(UPS)以及AC-DC电源供应器等领域。

    技术参数


    以下列出了FDD7N20TM的关键技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 击穿电压(VDS) | - | 200 | - | V |
    | 漏极电流(连续) | - | 5 | - | A |
    | 峰值漏极电流(脉冲) | - | 15 | - | A |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 3.0 | 4.0 | 5.0 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 580 mΩ | 690 mΩ | Ω |
    | 栅电荷(总Qg) | - | 5 | 6.7 | nC |
    | 反向恢复时间(trr) | - | 120 | - | ns |
    其他关键参数包括:
    - 封装形式:DPAK
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大结温:150°C
    - 热阻抗:RθJC = 2.9°C/W, RθJA = 110°C/W

    产品特点和优势


    FDD7N20TM 的主要特点是其极低的导通电阻(典型值580mΩ)和高效的开关性能,这使其成为电源管理应用中的理想选择。其关键优势如下:
    1. 低功耗:超低导通电阻显著降低了电路中的能量损耗,从而提高了整体效率。
    2. 高速开关性能:适合高频开关应用,减少开关损耗并提高转换效率。
    3. 高可靠性:经过100%雪崩测试,确保其在极端条件下的耐用性。
    4. RoHS合规:满足环保要求,可应用于各类绿色环保电子产品。
    5. 适用性强:广泛适用于多种电力电子领域,如显示电源、家用电器及照明控制等。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LCD/LED电视电源:通过低功耗设计实现高效能供电,减少能耗。
    - 不间断电源(UPS):提供稳定的电力输出,同时保证快速响应时间。
    - AC-DC电源供应器:在宽电压范围内稳定运行,适用于多用途电源需求。
    使用建议:
    1. 在高功率应用中,优先考虑降低栅极驱动电阻以优化开关速度。
    2. 设计电路时需注意散热管理,避免因热积聚导致器件失效。
    3. 在需要较高耐压的应用场合,可以考虑使用多个器件串联来提升总耐压能力。

    兼容性和支持


    FDD7N20TM 与大多数标准DPAK封装的MOSFET具有良好的兼容性,易于集成到现有设计中。ON Semiconductor为客户提供全面的技术支持,包括详细的规格书、设计指南以及故障排除文档。此外,他们还提供了在线资源和支持服务,帮助客户快速解决问题并加速产品上市。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极驱动电阻或优化驱动波形 |
    | 温度过高导致器件失效 | 加强散热设计,使用更大的散热片或强制风冷 |
    | 高频应用中出现振铃现象 | 增加输入端的滤波电容,减少噪声干扰 |

    总结和推荐


    总体而言,FDD7N20TM是一款优秀的N沟道MOSFET,具备出色的导通电阻、开关速度和可靠性。其多功能性和广泛的应用领域使其成为现代电力电子设计的理想选择。如果您正在寻找一款能够满足高性能要求且具备出色可靠性的器件,那么FDD7N20TM无疑是一个值得推荐的产品。我们强烈建议将此器件纳入您的项目开发计划中。
    如需进一步信息,请访问ON Semiconductor官方网站:[www.onsemi.com](https://www.onsemi.com)。

FDD7N20TM参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 43W(Tc)
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 690mΩ@ 2.5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 独立式
通道数量 1
栅极电荷 6.7nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 250pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD7N20TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD7N20TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD7N20TM FDD7N20TM数据手册

FDD7N20TM封装设计

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