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NTTFS4C05NTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 820mW(Ta),33W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.6mΩ@ 30A,10V 12A,75A 1.988nF@15V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: CY-NTTFS4C05NTWG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS4C05NTWG

NTTFS4C05NTWG概述

    NTTFS4C05N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTTFS4C05N 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的单个 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它专为高效率应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷的特点,特别适用于降低驱动损耗和开关损耗。其额定电压为 30V,持续漏极电流可达 75A,适用于各种电源管理和转换场景。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TA = 25°C):19.4A;TA = 85°C:14.5A
    - 最大功率耗散(TA = 25°C):2.16W
    - 脉冲漏极电流(tp = 10μs):174A
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 电气特性:
    - 断态漏源击穿电压(V(BR)DSS):30V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):10V 下最小 3.6mΩ,4.5V 下最小 5.1mΩ
    - 前向二极管电压(VSD):TJ = 25°C 下为 0.77V,TJ = 125°C 下为 0.62V
    - 切换特性:
    - 开启延迟时间(td(ON)):VGS = 4.5V 下为 11ns,VGS = 10V 下为 8.0ns
    - 关闭延迟时间(td(OFF)):VGS = 4.5V 下为 20ns,VGS = 10V 下为 26ns

    3. 产品特点和优势


    NTTFS4C05N 的主要优势在于其低导通电阻(RDS(on)),这使其在低损耗应用中表现出色。此外,其低栅极电荷有助于减少开关过程中的能量损耗。该器件无铅、卤素无卤、BFR 无卤且符合 RoHS 标准,使其在环保方面也有着卓越的表现。它的广泛应用包括直流-直流转换器、电源负载开关以及笔记本电池管理等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    NTTFS4C05N 在直流-直流转换器、电源负载开关及笔记本电池管理系统中都有广泛的应用。在实际应用中,我们建议在选择合适的散热措施时,确保最大功率耗散不超过规定值。对于高频率切换场合,需要合理设置栅极电阻以优化开关时间和损耗。

    5. 兼容性和支持


    NTTFS4C05N 采用 WDFN8 (511AB) 封装,易于焊接和安装。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术咨询热线,帮助用户解决在应用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最佳栅极电阻?
    - 解决方案:通过测量不同栅极电阻下的开关时间和功率损耗,选择最优值。

    - 问题2:器件过热如何处理?
    - 解决方案:增加外部散热片或者改善散热环境,确保器件在安全工作温度范围内运行。

    7. 总结和推荐


    NTTFS4C05N MOSFET 在性能上表现出色,尤其在低损耗和高频切换方面有着显著的优势。无论是从效率还是环保角度考虑,这款器件都值得推荐使用。如果用户需要在高效率、低损耗的应用场景下选用 MOSFET,NTTFS4C05N 是一个非常理想的选择。

NTTFS4C05NTWG参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6mΩ@ 30A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 820mW(Ta),33W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 31nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.988nF@15V
Id-连续漏极电流 12A,75A
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFS4C05NTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS4C05NTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS4C05NTWG NTTFS4C05NTWG数据手册

NTTFS4C05NTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4144 ¥ 3.5662
300+ $ 0.4106 ¥ 3.5341
500+ $ 0.4068 ¥ 3.502
1000+ $ 0.3954 ¥ 3.3413
5000+ $ 0.3954 ¥ 3.3413
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