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NTMFS6H801NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 157 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: MTY-NTMFS6H801NT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801NT1G概述

    NTMFS6H801N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTMFS6H801N 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于电源管理及高电流负载的应用。该 MOSFET 具有极低的导通电阻(RDS(on)),以实现最小化传导损耗,同时具有小封装(5x6 mm)以适应紧凑的设计需求。其主要功能包括出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、通信系统和工业自动化等领域。

    技术参数


    以下是 NTMFS6H801N 的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDSS):80 V
    - 连续漏电流 (ID):25°C 时为 157 A,100°C 时为 111 A
    - 功率耗散 (PD):25°C 时为 166 W,100°C 时为 83 W
    - 脉冲漏电流 (IDM):25°C 时为 900 A
    - 热阻 (RJC, RJA):稳态下分别为 0.9 °C/W 和 39 °C/W
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):25°C 时为 10 μA,125°C 时为 100 μA
    - 输入电容 (CISS):在 1 MHz 下为 4120 pF
    - 输出电容 (COSS):586 pF
    - 反向转移电容 (CRSS):22 pF
    - 总栅电荷 (QG(TOT)):在 10 V 下为 64 nC
    - 开启延迟时间 (td(ON)):在 10 V 下为 25 ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)):70 ns
    - 正向二极管电压 (VSD):25°C 时为 0.8 V,125°C 时为 0.7 V

    产品特点和优势


    1. 小封装设计:采用 5x6 mm 封装,适合空间受限的应用。
    2. 低 RDS(on):2.8 mΩ(在 10 V 下),显著减少导通损耗。
    3. 低栅电荷 (QG):64 nC,降低驱动损耗。
    4. 无铅且符合 RoHS 规范:环保材料,适用于各种应用场景。

    应用案例和使用建议


    NTMFS6H801N 可用于多种应用,如 DC/DC 转换器、电机驱动、电池管理系统等。建议在选择合适的驱动电路时,考虑其较低的 RDS(on) 和栅电荷,以确保高效的开关性能。此外,在大电流应用中,应合理安排散热设计,以保证器件的长期稳定性。

    兼容性和支持


    该 MOSFET 支持广泛的栅源电压范围,并且与常见的 PCB 材料兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性、热特性及机械参数,确保客户能够快速有效地集成到设计中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温环境下运行不稳定
    - 解决方案:检查散热设计是否充分,确保器件工作在允许的温度范围内。
    2. 问题:漏电流过大
    - 解决方案:检查栅源电压是否超出安全范围,调整驱动电路以降低漏电流。
    3. 问题:无法达到预期的最大电流
    - 解决方案:确保 PCB 布局满足电流路径要求,尽量减小寄生电阻和电感。

    总结和推荐


    综上所述,NTMFS6H801N 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,特别适用于需要低导通电阻和紧凑设计的应用场合。其卓越的电气特性和良好的热性能使其成为众多领域的理想选择。我们强烈推荐此产品,尤其是在电源管理和工业自动化等领域。

NTMFS6H801NT1G参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 3.8W(Ta),166W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 64nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.12nF@40V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 23A,157A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS6H801NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS6H801NT1G数据手册

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NTMFS6H801NT1G封装设计

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