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NVMYS3D3N06CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 133 A, LFPAK,SOT-669封装, 表面贴装, 4引脚
供应商型号: AV-S-ONSNVMYS3D3N06CL!A
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMYS3D3N06CLTWG

NVMYS3D3N06CLTWG概述

    NVMYS3D3N06CL MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVMYS3D3N06CL 是一种单通道 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为电源管理设计。它具有紧凑的设计,小占位面积(5x6mm),低导通电阻(RDS(on)),低栅极电荷(QG)和栅极电容。NVMYS3D3N06CL 主要用于功率转换、电机驱动、直流-直流转换器等应用领域。

    技术参数


    NVMYS3D3N06CL 的关键技术参数如下:
    - 额定电压(VDSS): 60V
    - 连续漏电流(ID):
    - TC = 25°C:133A
    - TC = 100°C:75A
    - 脉冲漏电流(IDM): 811A (TA = 25°C, tp = 10µs)
    - 最高结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 到 +175°C
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 50A:3.0mΩ
    - VGS = 4.5V, ID = 50A:4.2mΩ
    - 开关时间:
    - 开启延时时间(td(ON)):15ns
    - 关闭延时时间(td(OFF)):66ns
    - 上升时间(tr):58ns
    - 下降时间(tf):96ns
    - 反向恢复时间(tRR): 42ns

    产品特点和优势


    NVMYS3D3N06CL 具有以下独特功能和优势:
    - 小封装尺寸(5x6mm): 可以帮助实现更紧凑的设计。
    - 低 RDS(on): 有助于最小化传导损耗,提高效率。
    - 低 QG 和电容: 可减少驱动损耗。
    - LFPAK4 封装: 行业标准封装,确保可靠性和一致性。
    - 通过 AEC-Q101 认证: 适用于汽车电子。
    - 无铅且符合 RoHS 标准: 环保且对人体无害。

    应用案例和使用建议


    NVMYS3D3N06CL 适用于多种应用场景,如:
    - 电源管理:适用于电池充电器、电源适配器等。
    - 电机驱动:用于电动工具、风扇等。
    - 直流-直流转换器:用于各种直流供电系统。
    使用建议:
    - 在使用过程中注意散热,避免过热导致损坏。
    - 选择合适的栅极电阻(RG),以优化开关时间。
    - 注意工作环境温度对性能的影响,特别是在高温环境下要降低电流限制。

    兼容性和支持


    NVMYS3D3N06CL 与市面上多数标准的电路板和设备兼容。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、技术论坛和电话支持,帮助用户解决问题并提供必要的培训。

    常见问题与解决方案


    以下是使用 NVMYS3D3N06CL 时可能遇到的一些问题及解决方案:
    - 问题: 高温下出现过热。
    - 解决办法: 使用散热片或加装风扇进行散热。

    - 问题: 开关时间不符合预期。
    - 解决办法: 调整栅极电阻(RG)值,找到最优开关时间。

    - 问题: 漏电流过高。
    - 解决办法: 检查连接是否正确,确保 VGS 电压满足要求。

    总结和推荐


    NVMYS3D3N06CL 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适合需要高效能、紧凑设计的应用场合。其出色的低 RDS(on) 和低栅极电荷特性使其成为电力管理领域的理想选择。如果你正在寻找一款高可靠性、易于集成且性能优异的 MOSFET,NVMYS3D3N06CL 绝对是不二之选。总体而言,我们强烈推荐此款产品给追求高性能和高可靠性的客户。

NVMYS3D3N06CLTWG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 26A,133A
最大功率耗散 3.9W(Ta),100W(Tc)
栅极电荷 40.7nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 50A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.88nF@25V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 5mm(长度)
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMYS3D3N06CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMYS3D3N06CLTWG数据手册

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NVMYS3D3N06CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.7017 ¥ 6.2102
9000+ $ 0.6954 ¥ 6.1547
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