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NTBGS4D1N15MC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOSFET管 NTB系列, Vds=150 V, 185 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 7引脚
供应商型号: NTBGS4D1N15MC
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTBGS4D1N15MC

NTBGS4D1N15MC概述

    # NTBGS4D1N15MC MOSFET 单管N沟道150V 4.1 mΩ 185A 技术手册

    产品简介


    NTBGS4D1N15MC是一款高性能的单管N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻(RDS(on))的特点,适用于各种高效率电源管理和控制应用。该产品广泛应用于电动工具、无绳吸尘器、无人机及物料搬运设备、电池管理系统、储能系统、家庭自动化等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | VDSS | 150 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | 185 | A |
    | 功率耗散(稳态) | PD | 316 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 ~ +175 | °C |
    | 单脉冲漏极-源极雪崩能量 | EAS | 332 | mJ |
    电气特性
    | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 导通阻抗(典型值) | RDS(on) | VGS=10V, ID=104A | 3.3 | 4.1 | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | VGS=0V, f=1MHz, VDS=75V | 7285 | pF |
    | 输出电容 | COSS | VGS=0V, f=1MHz, VDS=75V | 2025 | pF |
    | 门电阻 | RG | TA=25°C | 1.2 | Ω |

    产品特点和优势


    NTBGS4D1N15MC具备多项独特功能和优势:
    - 低导通电阻:最小化导通损耗,有助于提高能效。
    - 低栅极电荷和电容:降低驱动损耗,减少开关噪声/电磁干扰(EMI)。
    - 绿色环保:无铅,无卤素,符合RoHS标准,适合环保要求较高的应用场景。
    - 可靠性高:工作温度范围宽广,从-55°C到+175°C,适合恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电动工具:NTBGS4D1N15MC在电动工具中可以用于电池管理系统的驱动和控制,提供高效可靠的功率转换。
    2. 无绳吸尘器:其低导通电阻和驱动损耗使其成为无绳设备的理想选择。
    3. 无人机/物料搬运设备:在高负载和频繁启停的情况下,其稳定的工作性能和低功耗表现优异。
    使用建议
    - 在选择栅极电阻时,建议根据具体应用场景调整栅极电阻,以达到最佳性能。
    - 确保使用合适的散热措施,避免由于热损耗导致的产品损坏。
    - 注意产品的工作温度范围,确保其能够在设计预期的工作环境中稳定运行。

    兼容性和支持


    NTBGS4D1N15MC采用D2PAK7封装,支持无铅焊接,可与大多数常见的电路板设计兼容。供应商ON Semiconductor提供了全面的技术支持和售后服务,包括在线资源和技术文档,以帮助客户解决应用中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下表现不稳定。
    - 解决方案:确保适当的散热措施,如增加散热片或使用风扇辅助散热。
    2. 问题:产品出现过度发热。
    - 解决方案:检查电路板设计,确保正确的布局和布线以降低热损耗。
    3. 问题:启动延迟时间过长。
    - 解决方案:通过调整栅极电阻来优化启动性能。

    总结和推荐


    NTBGS4D1N15MC凭借其出色的导通性能、低损耗和高可靠性,在多种应用场景中表现出色。对于需要高效功率管理和控制的应用,如电动工具、无人机、家庭自动化等,这款产品是一个理想的选择。其独特的设计和广泛的兼容性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给对高效率和稳定性有严格要求的项目。

    本手册详细介绍了NTBGS4D1N15MC MOSFET的技术规格、应用实例及使用建议,希望可以帮助用户更好地了解并合理应用该产品。

NTBGS4D1N15MC参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 150V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.285nF@75V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 88.9nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.7W(Ta),316W(Tc)
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 104A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 574µA
Id-连续漏极电流 185A
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTBGS4D1N15MC厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBGS4D1N15MC数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC数据手册

NTBGS4D1N15MC封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 45.3767
200+ ¥ 44.0141
400+ ¥ 42.6963
800+ ¥ 26.0545
1600+ ¥ 25.5343
3200+ ¥ 25.0231
库存: 480
起订量: 15 增量: 0
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