处理中...

首页  >  产品百科  >  NVD5865NLT4G

NVD5865NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),71W(Tc) 20V 2V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 60V 16mΩ@ 19A,10V 10A,46A 1.4nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: 2724431
供应商: element14
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5865NLT4G

NVD5865NLT4G概述

    NVD5865NL Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    NVD5865NL 是一款高性能单片 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力及卓越的开关性能。此器件被广泛应用于电源管理和电机驱动等领域。
    主要功能:
    - 极低的导通电阻(RDS(on))以减少功耗并提升效率;
    - 具备雪崩能量等级,确保在高压条件下仍能稳定工作;
    - 符合 AEC-Q101 车规标准,适合汽车电子及其他严苛工业环境。
    应用领域:
    适用于服务器、通信电源模块、汽车电子、电池管理系统以及 DC-DC 转换器等场合。

    2. 技术参数


    以下是 NVD5865NL 的关键技术指标摘要:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDSS | 60 | — | — | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(TH) | 1.0 | 2.0 | — | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 13 | 16 | 19 | mΩ |
    | 连续漏极电流 | ID | 46 | — | 33 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | — | — | 203 | A |
    | 门极电荷总量 | QG(TOT) | 15 | 29 | — | nC |
    注:其他参数如热阻抗、容值、反向恢复特性等见完整技术手册。

    3. 产品特点和优势


    NVD5865NL 的核心竞争力体现在以下几个方面:
    1. 超低导通电阻:典型值仅为 16 mΩ,可显著降低导通损耗,提高系统效率。
    2. 高可靠性设计:通过严格的 AEC-Q101 测试认证,适应恶劣的工作条件。
    3. 快速开关性能:短开关时间特性(例如 td(on)=8.4 ns),适合高频电路设计。
    4. 绿色环保:无铅封装、无卤素,符合 RoHS 标准,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    NVD5865NL 常用于高效能电源管理场景,例如数据中心的 VRM(Voltage Regulator Module),以及混合动力汽车的逆变器模块。
    使用建议:
    1. 优化电路布局:由于导通电阻极低,选择低电感的 PCB 布线可进一步减小寄生损耗。
    2. 热管理措施:采用良好的散热设计,确保器件温度不超过允许范围。
    3. 测试与验证:针对特殊应用场景进行实际负载测试,确保满足特定需求。

    5. 兼容性和支持


    NVD5865NL 可直接替换同类竞品,如 IRF540 系列等。制造商提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的封装尺寸图、电路设计指南以及热管理策略。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件过热 | 改进散热设计,增大铜箔面积 |
    | 开关速度不达标 | 减小栅极电阻,优化门极驱动电路 |
    | 漏电流过大 | 确认 VGS 是否达到额定阈值 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    NVD5865NL 是一款高度集成且性能优异的功率 MOSFET,其卓越的低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其成为工业和消费电子领域的优选产品。尤其在需要高效能和紧凑设计的应用中表现出色。
    推荐意见:
    强烈推荐使用 NVD5865NL 来替代传统分立元件,特别是在追求高效率、低损耗的应用环境中。无论是在实验室开发还是批量生产阶段,此器件都值得信赖。

NVD5865NLT4G参数

参数
最大功率耗散 3.1W(Ta),71W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 29nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@25V
通道数量 1
配置 独立式
Id-连续漏极电流 10A,46A
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 19A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVD5865NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5865NLT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G数据手册

NVD5865NLT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 4.116
10+ ¥ 3.612
100+ ¥ 3.024
库存: 0
起订量: 25 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336