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NSVMMBT4401WT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: NPN 150mW 6V 100nA 60V 40V 600mA SOT-323 贴片安装 2.1mm*1.24mm*850μm
供应商型号: CY-NSVMMBT4401WT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMBT4401WT1G

NSVMMBT4401WT1G概述

    MMBT4401WT1G Switching Transistor 技术手册解析

    1. 产品简介


    MMBT4401WT1G 是一款 NPN 硅材料的开关晶体管,由半导体组件工业有限公司(Semiconductor Components Industries, LLC)生产。该器件采用 SC-70 封装形式(SOT-323),并符合 RoHS 标准,具有无铅、卤素自由/溴化阻燃剂自由的特点。它广泛应用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用中。

    2. 技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \(V{CEO}\): 40 Vdc
    - 集电极-基极电压 \(V{CBO}\): 60 Vdc
    - 发射极-基极电压 \(V{EBO}\): 6.0 Vdc
    - 连续集电极电流 \(IC\): 600 mAdc
    - 最大功耗 \(PD\) (TA=25°C): 150 mW
    - 结到环境热阻 \(R{\theta JA}\): 833 °C/W
    - 工作温度范围 \(TJ, T{stg}\): -55°C 到 +150°C
    电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \(V(BR)CEO\): 40 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压 \(V(BR)CBO\): 60 Vdc
    - 基极-发射极击穿电压 \(V(BR)EBO\): 6.0 Vdc
    - 开关时间
    - 开启延时时间 \(td\): 15 ns
    - 上升时间 \(tr\): 20 ns
    - 存储时间 \(ts\): 225 ns
    - 下降时间 \(tf\): 30 ns
    - 小信号特性
    - 电流增益-带宽乘积 \(fT\): 250 MHz
    - 输入阻抗 \(h{ie}\): 1.0 kΩ 至 15 kΩ
    - 输出导纳 \(h{oe}\): 1.0 μs 至 30 μs
    - 电压反馈比 \(h{re}\): 0.1 至 8.0 × 10^-4

    3. 产品特点和优势


    - 低功耗:最大功耗仅为 150 mW,适合高效率应用。
    - 高电流增益:在不同工作条件下,电流增益 \(h{FE}\) 可达 300,适用于各种放大电路。
    - 快速开关特性:快速的开关时间(上升时间、下降时间和存储时间)使其适合高频应用。
    - 良好的电气隔离性能:集电极-发射极击穿电压高达 40 Vdc,基极-发射极击穿电压高达 6.0 Vdc,适合高电压环境。
    - 鲁棒性强:耐受较高的机械应力,且具备 ESD 保护能力(人体模型 4 kV,机器模型 400 V)。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于电源转换器、电机驱动器、通信设备等。
    - 使用建议:
    - 在高电流应用中,确保提供足够的散热措施以避免过热。
    - 在高频应用中,注意控制信号线的布局,以减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与同类 SC-70 封装的其他器件具有良好的互换性。
    - 支持:提供详细的Datasheet和应用指南,支持用户进行二次开发。制造商还提供售前技术支持和售后维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备无法正常工作
    - 解决方案: 检查供电电压是否在规定范围内,确认连接正确,必要时使用万用表测量各引脚电压。
    - 问题2: 设备发热严重
    - 解决方案: 检查电路设计,确保散热措施到位,适当增加外部散热片。

    7. 总结和推荐


    综合评估:MMBT4401WT1G 凭借其优秀的电气特性、可靠的性能和良好的性价比,非常适合于高电流和高频应用场合。同时,其优异的抗ESD能力和环保材料,使得该器件在市场上具有很强的竞争力。
    推荐:对于需要高性能开关晶体管的应用,强烈推荐使用 MMBT4401WT1G。其出色的性能和稳定性将为您的项目带来显著的优势。

NSVMMBT4401WT1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大集电极发射极饱和电压 750mV@ 50mA,500mA
最大功率耗散 150mW
集电极电流 600mA
集电极截止电流 100nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
配置 -
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 60V
长*宽*高 2.1mm*1.24mm*850μm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMMBT4401WT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMBT4401WT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMMBT4401WT1G NSVMMBT4401WT1G数据手册

NSVMMBT4401WT1G封装设计

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