处理中...

首页  >  产品百科  >  NSBA143ZDXV6T1G

NSBA143ZDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 2 个 PNP 预偏压式(双) 500W 500nA 50V 100mA SOT-563-6 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: FL-NSBA143ZDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA143ZDXV6T1G

NSBA143ZDXV6T1G概述

    Dual PNP Bias Resistor Transistors

    产品简介


    Dual PNP Bias Resistor Transistors (BRTs) 是一种集成化设计的双极型晶体管(PNP),主要用于简化电路设计和减少电路板空间。这些转器内部集成了两个电阻网络(R1 和 R2),用于基极偏置,从而替代传统电路中独立的晶体管和外部电阻网络。这种产品的典型应用领域包括汽车、消费电子、工业控制等领域,特别适用于需要独特工艺控制要求的应用。

    技术参数


    - 集成电阻值:R1 = 4.7 kΩ,R2 = 47 kΩ
    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 V
    - 集电极电流:IC = 100 mA
    - 输入正向电压:VIN(fwd) = 30 V
    - 输入反向电压:VIN(rev) = 5 V
    - 热阻特性:
    - 单结加热:PD = 256 mW,RJA = 490°C/W
    - 双结加热:PD = 385 mW,RJA = 325°C/W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C to +150°C

    产品特点和优势


    Dual PNP Bias Resistor Transistors 的核心优势包括:
    - 简化电路设计:将多个组件整合到单个器件中,减少了布线复杂度。
    - 减少组件数量:集成了基极偏置电阻网络,无需额外外接电阻。
    - 符合汽车和工业标准:具有 AEC-Q101 资格认证,适合需要特殊工艺控制的应用。
    - 环保特性:无铅、卤素和 BFR 免费,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    这类产品广泛应用于各种需要信号放大和开关控制的场合。例如,在汽车电子系统中,它们可以用于驱动 LED 或马达;在消费电子产品中,可用于音频放大器的功率级。在具体使用时,需要注意合理布局以避免热效应的影响,建议根据具体应用选择合适的封装类型。

    兼容性和支持


    MUN5133DW1、NSBA143ZDXV6 和 NSBA143ZDP6 适用于多种标准封装,如 SOT-363、SOT-563 和 SOT-963。厂商提供了详细的订购信息及相应的支持文档,确保用户能够顺利地集成和使用这些产品。此外,厂商还提供在线技术支持和售后服务,帮助用户解决在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下工作时,器件过热 | 优化电路设计,采用更大散热面积或散热片 |
    | 输入电压不匹配 | 检查电源输入,确保符合器件额定值 |
    | 输出电流不稳定 | 检查外围电路和负载情况,确保匹配合适的工作条件 |

    总结和推荐


    Dual PNP Bias Resistor Transistors 在减少电路复杂度和节省空间方面表现优异,尤其适合对电路可靠性有较高要求的应用场景。结合其环保特性、兼容性和全面的技术支持,该系列产品无疑是市场上一款极具竞争力的产品。因此,强烈推荐用户在相关应用中考虑选用该系列器件。
    希望以上内容能为您提供全面的了解和参考,如有进一步需求或疑问,请随时联系我们。

NSBA143ZDXV6T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA @ 10mA
集电极截止电流 500nA
配置
集电极电流 100mA
最大功率耗散 500W
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBA143ZDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA143ZDXV6T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBA143ZDXV6T1G NSBA143ZDXV6T1G数据手册

NSBA143ZDXV6T1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.0646 ¥ 0.547
库存: 52000
起订量: 9225 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.54
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2694.1015
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 202.4755
2N2222AUB ¥ 299.5964
2N2222AUB ¥ 0