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NVMFS5C673NLAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 46W(Tc) 20V 2V@ 35µA 9.5nC@ 10 V 1个N沟道 60V 9.2mΩ@ 25A,10V 50A 880pF@25V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NVMFS5C673NLAFT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C673NLAFT1G

NVMFS5C673NLAFT1G概述

    MOSFET – Power, Single N-Channel 60 V, 9.2 mΩ, 50 A NVMFS5C673NL

    1. 产品简介


    NVMFS5C673NL 是一款适用于高效率电力电子应用的小型封装 N 沟道 MOSFET。它具有较小的外形(5x6 mm),能有效实现紧凑设计。该器件广泛应用于电源转换、电机控制及汽车电子等领域,是高性能电力电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - Drain-to-Source Voltage (VDSS): 60 V
    - Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20 V
    - 电流参数:
    - Continuous Drain Current (TC=25°C): 50 A
    - Continuous Drain Current (TC=100°C): 35 A
    - 热阻参数:
    - Junction-to-Case Thermal Resistance (RJC): 3.2 °C/W
    - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RJA): 42 °C/W
    - 其他关键参数:
    - Drain-to-Source On Resistance (RDS(on)): 9.2 mΩ (at VGS=10V, ID=25A)
    - Threshold Voltage (VGS(TH)): 1.2~2.0 V
    - Input Capacitance (CISS): 880 pF
    - Output Capacitance (COSS): 450 pF
    - Reverse Transfer Capacitance (CRSS): 11 pF

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:5x6 mm 封装,适合空间受限的应用。
    - 低导通电阻:低至 9.2 mΩ,可显著减少导通损耗。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷仅为 4.5 nC(VGS=4.5V, VDS=48V),有利于降低驱动损耗。
    - 湿气检测增强:NVMFS5C673NLWF 版本提供了浸润性增强选项,便于光学检查。
    - 汽车认证:通过了 AEC-Q101 认证,具备生产件批准程序 (PPAP) 能力。
    - 环保:无铅且符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NVMFS5C673NL 可用于多种电力电子应用,例如:
    - 电源转换:在高功率开关模式电源中表现出色。
    - 电机控制:在电动汽车及其他高功率密度电机驱动系统中提供高效控制。
    - 汽车电子:在恶劣的环境中稳定运行,满足严格的电气和温度要求。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,注意散热设计以确保可靠性和性能。
    - 使用适当的栅极电阻值来优化开关时间和降低损耗。
    - 注意输入和输出电容的匹配,避免因电容不匹配导致的开关时间变化。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种标准 PCB 布局和现有的驱动电路设计。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断器件损坏?
    - 解决方案:如果器件在超过最大额定值的条件下使用,可能损坏。请检查电气和热特性是否超出额定值。

    - 问题2:如何避免过热?
    - 解决方案:确保散热设计合理,考虑使用热管或散热片,并在设计时预留足够的热裕量。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVMFS5C673NL 是一款专为高效率和可靠性设计的 N 沟道 MOSFET。其紧凑的尺寸、低导通电阻和高抗热性能使其成为众多电力电子应用的理想选择。强烈推荐用于需要高效功率转换和可靠性的场合。

NVMFS5C673NLAFT1G参数

参数
栅极电荷 9.5nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 880pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 35µA
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
最大功率耗散 46W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 9.2mΩ@ 25A,10V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C673NLAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C673NLAFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C673NLAFT1G NVMFS5C673NLAFT1G数据手册

NVMFS5C673NLAFT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 5.64
4000+ ¥ 5.499
8000+ ¥ 5.405
16000+ ¥ 5.358
库存: 10500
起订量: 2000 增量: 2000
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