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FCP400N80Z

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 195W(Tc) 20V 4.5V@1.1mA 56nC@ 10V 1个N沟道 800V 400mΩ@ 5.5A,10V 14A 2.35nF@1000V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FCP400N80Z
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCP400N80Z

FCP400N80Z概述


    产品简介


    FCP400N80Z — N-Channel SuperFET® II MOSFET
    FCP400N80Z是一款来自ON Semiconductor的N沟道SuperFET® II MOSFET。SuperFET® II MOSFET家族利用电荷平衡技术实现低导通电阻(RDS(on))和较低栅极电荷性能。这种技术能够显著降低导通损耗,并提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量。本产品广泛应用于电源转换、LED照明等领域。

    技术参数


    - 最大电压 (VDSS):800 V
    - 栅源电压 (VGSS):±20 V(直流),±30 V(交流)
    - 连续漏电流 (ID):25°C时为14 A,100°C时为8.9 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):33 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):339 mJ
    - 雪崩电流 (IAR):2.2 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):1.95 mJ
    - dv/dt 额定值:100 V/ns
    - 最大功耗 (PD):25°C时为195 W;每增加1°C降额1.56 W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 管脚温度 (TL):焊接时的最大引脚温度为300°C
    - 热阻 (RθJC):0.64°C/W
    - 热阻 (RθJA):62.5°C/W

    产品特点和优势


    FCP400N80Z具有多种独特功能和优势:
    - 典型RDS(on)为340 mΩ,保证低导通电阻。
    - 超低栅极电荷(典型值Qg = 43 nC)。
    - 低Eoss(典型值4.1 μJ @ 400 V)。
    - 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 138 pF)。
    - 100% 雪崩测试通过。
    - 符合RoHS标准。
    - 改善的静电放电(ESD)能力。
    - 100% 演示可靠性,适用于各种工业及消费电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - AC-DC电源:用于高效率电源转换器。
    - LED照明:确保良好的电流控制和减少电磁干扰。
    - 笔记本适配器:提高功率密度并降低能耗。
    - ATX电源:提供高效且可靠的电源解决方案。
    使用建议
    1. 散热设计:由于高功耗可能导致过热,需要合理的散热设计以确保稳定运行。
    2. 栅极驱动:合理设置栅极电阻,防止过高的开关速度导致EMI问题。
    3. 布局优化:尽量缩短源极和栅极走线长度,减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FCP400N80Z与其他常用的N沟道MOSFET在电路板设计上具备较好的兼容性。
    - 支持:ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和在线支持服务,包括应用程序笔记和技术论坛。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护:安装适当的散热片或风扇,监测和调整环境温度。
    2. EMI问题:优化PCB布局,添加屏蔽措施或滤波器。
    3. 开关损耗:调整栅极电阻以降低开关损耗。

    总结和推荐


    FCP400N80Z凭借其出色的低导通电阻和低栅极电荷性能,非常适合需要高效率、高可靠性的电源转换和驱动应用。其在不同温度下的稳定表现使其成为高性能系统的理想选择。综合以上各方面因素,强烈推荐在需要高效率、高可靠性以及宽工作温度范围的应用中使用FCP400N80Z。

FCP400N80Z参数

参数
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ@ 5.5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.35nF@1000V
最大功率耗散 195W(Tc)
Id-连续漏极电流 14A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 56nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.1mA
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FCP400N80Z厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCP400N80Z数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCP400N80Z FCP400N80Z数据手册

FCP400N80Z封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 18.3222
500+ ¥ 17.6904
1000+ ¥ 17.0586
库存: 1500
起订量: 10 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 183.22
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型号 价格(含增值税)
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