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NVMFD5873NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W 20V 2.5V@ 250µA 30.5nC@ 10V 2个N沟道 60V 13mΩ@ 15A,10V 10A 1.56nF@25V DFN 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NVMFD5873NLWFT1G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5873NLWFT1G

NVMFD5873NLWFT1G概述


    产品简介


    NVMFD5873NL 是一款由Semiconductor Components Industries生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它是一款双沟道N沟道逻辑电平功率MOSFET,封装为SO-8FL(小外形引脚贴片封装),尺寸为5mm x 6mm。这种小型封装非常适合紧凑型设计。此MOSFET 的额定电压为60V,连续漏极电流高达58A,最大功率耗散为107W,是应用于需要高效率和低功耗的电源管理和电机控制领域的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | — | — | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | —20 | — | +20 | V |
    | 持续漏极电流(Tmb = 25°C) | ID | — | 58 | A |
    | 持续漏极电流(Tmb = 100°C) | ID | — | 41 | A |
    | 功率耗散(Tmb = 25°C) | PD | — | 107 | W |
    | 功率耗散(Tmb = 100°C) | PD | — | 54 | W |
    | 瞬态漏极电流(TA = 25°C, tp = 10 μs) | IDM | — | 190 | A |
    | 阈值电压(VGS = VDS, ID = 250 μA) | VGS(TH) | 1.5 | 2.5 | V |
    | 开启电阻(VGS = 10 V, ID = 15 A) | RDS(on) | — | 13 | mΩ |
    | 输入电容(VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, VDS = 25 V) | CISS | — | 1560 | pF |
    | 输出电容 | COSS | — | 145 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | — | 98 | pF |
    | 总栅极电荷(VGS = 4.5 V, VDS = 48 V, ID = 15 A) | QG(TOT) | — | 16.5 | nC |

    产品特点和优势


    1. 小型化设计:采用5x6 mm的小尺寸封装,适合紧凑型设计。
    2. 低开启电阻:RDS(on)典型值仅为13mΩ,可以显著减少导通损耗。
    3. 低输入电容:Ciss值为1560 pF,有助于降低驱动损耗。
    4. AEC-Q101认证:适用于汽车应用,并且能够满足PPAP要求。
    5. 无铅设计:符合环保标准,更加安全可靠。
    6. 耐高温性能:具有宽广的工作温度范围,适用各种严苛环境。
    7. 湿气侧翼选项:NVMFD5873NLWF提供增强光学检测的选项,提高焊接质量检验精度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理系统:在开关电源转换器中作为开关元件,减少能量损失。
    2. 电机控制:用于电动机驱动电路,实现高效的电机控制。
    3. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等设备中的核心控制部件。
    使用建议:
    - 在高压应用中,请确保工作电压不超过额定值60V。
    - 对于高频开关应用,要特别注意选择合适的栅极电阻以优化开关时间。
    - 当负载变化较大时,建议使用散热良好的安装方式,避免因过热影响性能。

    兼容性和支持


    该产品与大多数现有的SMT生产设备兼容,支持自动贴装。制造商提供了详细的订购信息及技术支持文档。此外,他们还提供在线资源和技术文档,帮助客户进行设计和集成。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备无法正常启动?
    解决方案:检查电路连接是否正确,特别是栅极信号线。如果连接正常,请确认栅极驱动电压是否足够高。
    2. 问题:过热问题?
    解决方案:请确保按照规范使用散热器或采用适当的安装方法。避免长时间大电流工作条件。
    3. 问题:输出电流不足?
    解决方案:检查负载和电源条件是否合适。必要时,增加栅极驱动电流以提高开关速度。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFD5873NL 是一款高性能的功率 MOSFET,具有卓越的电学特性和可靠性。它的低RDS(on)和低电容特性使其成为电源管理、电机控制等领域应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高效率、低损耗解决方案的工程师们。

NVMFD5873NLWFT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 15A,10V
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.56nF@25V
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 30.5nC@ 10V
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.1W
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVMFD5873NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5873NLWFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFD5873NLWFT1G NVMFD5873NLWFT1G数据手册

NVMFD5873NLWFT1G封装设计

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