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NSBA114YF3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA PNP - Pre-Biased 297W 500nA 50V 100mA SOT-1123 贴片安装 600μm*800μm*370μm
供应商型号: FL-NSBA114YF3T5G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G概述


    产品简介


    数字晶体管(BRT)系列是单个设备及其外部电阻偏置网络的替代品。本系列产品是一种PNP型晶体管,内置一个由两个电阻组成的单芯片偏置网络,即串联基极电阻和基极-发射极电阻。通过将这些独立组件集成到单个设备中,BRT能够显著降低成本并减少电路板空间。此系列广泛应用于需要单个设备和外部电阻偏置网络的场合,如汽车和其他需要特定现场和控制变更要求的应用。这些设备无铅、无卤素、无溴化阻燃剂,并符合RoHS标准。

    技术参数


    - 最高额定值:
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 Vdc
    - 集电极电流(连续):IC = 100 mAdc
    - 输入正向电压:VIN(fwd) = 40 Vdc
    - 输入反向电压:VIN(rev) = 6 Vdc
    - 热特性(不同封装下有所不同):
    - SC-59和SC-70/SOT-323:最大总耗散功率PD= 230 mW,热阻RθJA= 540 °C/W
    - SOT-23:最大总耗散功率PD= 246 mW,热阻RθJA= 508 °C/W
    - SOT-723:最大总耗散功率PD= 260 mW,热阻RθJA= 480 °C/W
    - SOT-1123:最大总耗散功率PD= 254 mW,热阻RθJA= 493 °C/W
    - 电气特性(TA = 25°C):
    - 断态特性:
    - 集电极-基极截止电流(VCB = 50 V,IE = 0):ICBO = -100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流(VCE = 50 V,IB = 0):ICEO = -500 nAdc
    - 发射极-基极截止电流(VEB = 6.0 V,IC = 0):IEBO = -0.2 mAdc
    - 通态特性:
    - 直流电流增益(IC = 5.0 mA,VCE = 10 V):hFE = 80 至 140
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = 10 mA,IB = 0.3 mA):VCE(sat) = -0.25 Vdc
    - 输入电压(断态)(VCE = 5.0 V,IC = 100 μA):Vi(off) = -0.5 Vdc
    - 输出电压(断态)(VCC = 5.0 V,VB = 0.5 V,RL = 1.0 kΩ):VOH = 4.9 Vdc
    - 输入电阻R1:7.0 至 13 kΩ
    - 电阻比R1/R2:0.17 至 0.25

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:内置的偏置电阻网络简化了电路设计,减少了外部元件的需求。
    - 节省空间:将基极电阻和发射极电阻集成在一起,从而减少电路板的空间需求。
    - 降低组件数量:减少了对外部电阻的需求,使得整体系统更加紧凑。
    - 汽车及其他应用的适应性:S和NSV前缀适用于对独特现场和控制变更有特殊要求的应用,且已获得AEC-Q101认证,支持PPAP(生产件批准程序)。
    - 环保特性:无铅、无卤素、无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    该系列产品适用于多种应用,如自动控制系统、电源管理、信号放大等。特别是在需要高可靠性且空间受限的应用中,如汽车电子系统。为了最大化利用这些产品,建议遵循以下几点:
    - 保持良好的散热条件:根据产品的热特性,在设计时确保有足够的散热措施,以防止过热导致的性能下降或损坏。
    - 正确的布局和布线:确保各引脚正确连接,避免短路或开路的情况发生。
    - 适当的测试:在实际应用中,务必进行充分的测试验证,以确保产品在不同工作条件下均能正常运行。

    兼容性和支持


    该产品与标准的电气接口兼容,可方便地与其他电子元件或设备集成。此外,厂商提供了全面的技术支持,包括但不限于:
    - 详尽的产品文档,如数据手册、技术参考手册等。
    - 技术支持热线,提供售前和售后咨询服务。
    - 在线资源库,包括设计指南、常见问题解答等。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确认产品是否受到静电放电(ESD)损坏?
    - 解决方案:使用静电放电测试仪进行检测。如果发现ESD损坏,需更换新产品。
    - 问题:如何选择合适的散热方式?
    - 解决方案:根据具体的应用场景和产品的热特性,选择适当的散热方法,如散热片、散热风扇等。

    总结和推荐


    该系列数字晶体管(BRT)具备显著的优势,包括简化电路设计、节省空间、提高可靠性以及满足特定行业标准等。其在多种应用场景中表现出色,尤其是在汽车电子系统和需要高可靠性系统的领域。总体来说,这是一款值得推荐的高性能、高可靠性的电子元件产品。建议在设计相关电路时优先考虑该系列产品。

NSBA114YF3T5G参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
最大功率耗散 297W
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
配置 独立式
集电极电流 100mA
长*宽*高 600μm*800μm*370μm
通用封装 SOT-1123
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSBA114YF3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA114YF3T5G数据手册

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NSBA114YF3T5G封装设计

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