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NVMFS5113PLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),150W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 83nC@ 10 V 1个P沟道 60V 14mΩ@ 17A,10V 10A,64A 4.4nF@25V SO 贴片安装
供应商型号: WU-NVMFS5113PLWFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5113PLWFT1G

NVMFS5113PLWFT1G概述

    NVMFS5113PL MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVMFS5113PL 是一款单片式 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有卓越的电气特性和可靠性。它适用于各种高电流应用领域,包括汽车电子系统、电源管理模块和工业自动化控制等。该产品以其低导通电阻、高电流承载能力和可承受雪崩能量而著称,使其成为高可靠性的关键选择。

    2. 技术参数


    以下是 NVMFS5113PL 的关键技术和性能参数:
    - 漏极到源极电压 (VDSS):-60 V
    - 栅极到源极电压 (VGS):±20 V
    - 最大漏极电流 (ID):-64 A(在 25°C 条件下)
    - 功耗 (PD):150 W(在 25°C 条件下)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-415 A(在 25°C 条件下)
    - 最大结温 (TJ):-55°C 至 175°C
    - 雪崩能量 (EAS):315 mJ
    - 输入电容 (Ciss):4400 pF
    - 阈值栅极电荷 (QG(TH)):4 nC
    - 门极至源极电荷 (QGS):13 nC
    - 门极至漏极电荷 (QGD):27 nC
    - 导通电阻 (RDS(on)):10.5 mΩ(在 -10 V 时)
    - 正向二极管电压 (VSD):-0.79 V 至 -1.0 V(在 25°C 时)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:最小化传导损耗,提高效率。
    - 高电流承载能力:能够处理大电流,适合高负载需求。
    - 雪崩能量指定:能承受较高能量的瞬态冲击,确保长期稳定性。
    - 湿法电镀工艺:提供更可靠的焊接效果。
    - 无铅、无卤素和无 BFR:符合 RoHS 标准,环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 汽车电子:应用于需要严格质量和稳定性的应用中,例如发动机管理系统和车载充电器。
    - 电源管理:在电源供应单元中用于降低能耗,提高转换效率。
    - 工业自动化:适用于工业控制系统中需要高性能的场合。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免过热损坏。
    - 在大电流操作条件下,确保正确的电路布局以减少寄生电感的影响。
    - 配合合适驱动电路使用,优化门极驱动电阻以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    NVMFS5113PL 具有良好的兼容性,可与多种其他电子元件和设备配合使用。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品认证、PPAP 能力验证及技术支持文档下载。用户可通过官方网站或客户服务热线获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:产品温度过高,导致可靠性下降。
    解决方案:确保合理的散热设计,使用适当的散热器并保持良好的通风条件。
    - 问题 2:门极驱动不当导致开关速度慢。
    解决方案:选择合适的门极驱动电阻,优化电路布局以减少寄生电感。
    - 问题 3:导通电阻异常高。
    解决方案:检查接线是否正确,确保所有连接点良好接触。

    7. 总结和推荐


    NVMFS5113PL 是一款高效可靠的 P 沟道功率 MOSFET,具备优良的电气特性和广泛的应用范围。无论是在汽车电子、电源管理和工业自动化领域,它的优异表现都使得它成为一个值得信赖的选择。强烈推荐在高电流和恶劣工作环境下使用该产品,以获得最佳性能和可靠性保障。

NVMFS5113PLWFT1G参数

参数
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
最大功率耗散 3.8W(Ta),150W(Tc)
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
栅极电荷 83nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 17A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.4nF@25V
Id-连续漏极电流 10A,64A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5113PLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5113PLWFT1G数据手册

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NVMFS5113PLWFT1G封装设计

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