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NSBC123JDXV6T1G

产品分类:
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述:
供应商型号: FL-NSBC123JDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR  NSBC123JDXV6T1G

NSBC123JDXV6T1G概述


    产品简介


    DTC123JD/D 双极型晶体管
    DTC123JD/D 是一种双NPN型偏置电阻晶体管,属于数字晶体管系列。该产品通过将单个晶体管与集成的两个电阻(基极电阻和发射极电阻)结合在一起,替代了一个单独的晶体管及其外部的电阻偏置网络。这一设计简化了电路设计,减少了所需的板空间,同时降低了元件数量。此外,该系列还具有汽车应用及其他需要独特站点和控制变更要求的应用资格认证,包括AEC-Q101认证,并且提供PPAP(生产件批准程序)服务。产品符合无铅、无卤素/溴化阻燃剂的要求,并符合RoHS标准。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 100 mAdc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 12 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 5 Vdc
    工作环境
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 离态特性:
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): - - 100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEO): - - 500 nAdc
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): - - 0.2 mAdc
    - 通态特性:
    - 直流电流增益 (hFE): 80 - 140
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): - - 0.25 Vdc
    - 输入电压(关态): Vi(off) - 0.6 Vdc
    - 输入电压(开态): Vi(on) - 0.8 Vdc
    - 输出电压(开态): VOL - - 0.2 Vdc
    - 输出电压(关态): VOH - 4.9 Vdc
    - 基极输入电阻 R1: 1.5 kΩ - 2.2 kΩ - 2.9 kΩ
    - 电阻比 R1/R2: 0.038 - 0.047 - 0.056
    热特性
    - MUN5235DW1 (SOT-363):
    - 单结加热情况下的最大功耗 (PD): 187 mW
    - 双结加热情况下的最大功耗 (PD): 250 mW
    - NSBC123JDXV6 (SOT-563):
    - 单结加热情况下的最大功耗 (PD): 357 mW
    - 双结加热情况下的最大功耗 (PD): 500 mW
    - NSBC123JDP6 (SOT-963):
    - 单结加热情况下的最大功耗 (PD): 231 mW
    - 双结加热情况下的最大功耗 (PD): 339 mW

    产品特点和优势


    DTC123JD/D 的主要优势如下:
    1. 简化电路设计:内置的电阻网络消除了外部分立电阻,简化了PCB设计。
    2. 减少板空间:集成了基极电阻和发射极电阻,减少了所需的空间。
    3. 降低组件数量:单一器件取代多个分立元件,提高了系统的可靠性。
    4. 汽车级认证:具备AEC-Q101认证,适用于汽车和其他对稳定性要求高的应用。
    5. 环保材料:无铅、无卤素/溴化阻燃剂,符合RoHS标准,更安全环保。

    应用案例和使用建议


    DTC123JD/D 在多种场合下都有广泛应用,如电源管理、传感器接口、电机驱动、开关控制等。以下是几个典型应用场景:
    - 电源管理: 在稳压电源设计中,可以作为稳压电路的一部分,提高电源效率。
    - 传感器接口: 用于模拟信号的放大和处理,增强传感器信号的可靠性和稳定性。
    - 电机驱动: 在步进电机或直流电机的控制电路中,起到关键的开关和保护作用。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,确保不超过最大功耗。
    - 选择合适的封装形式以适应具体应用需求,例如SOT-363、SOT-563或SOT-963。
    - 注意电源供应的稳定性和输入输出信号的匹配,避免过载导致损坏。

    兼容性和支持


    DTC123JD/D 可与其他标准电路板兼容,特别是具有相同引脚布局的数字晶体管。厂商提供全面的技术支持,包括样品申请、技术支持热线和售后服务等,帮助用户快速集成到自己的系统中。

    常见问题与解决方案


    问题1: 集电极电流过大导致发热
    解决方案: 使用散热片或增加散热空间,保证良好的热传导;避免过长时间处于大电流工作状态。
    问题2: 输入输出电压不匹配导致工作异常
    解决方案: 检查输入电压是否在规定范围内,调整电源设置或使用合适的隔离器件来保护电路。
    问题3: 集电极-发射极饱和电压过高
    解决方案: 检查负载电流是否超出规定范围,适当调整负载电流,或者更换为更高电流增益的型号。

    总结和推荐


    DTC123JD/D 双极型晶体管在诸多方面展现了卓越的性能和应用潜力。其独特的集成电阻网络设计不仅简化了电路设计,还提高了系统的可靠性。该产品在汽车电子、工业控制等领域有着广泛的应用前景。鉴于其优良的电气特性和广泛的支持服务,我们强烈推荐使用这款产品。无论是新项目开发还是现有系统升级,DTC123JD/D 都是一个值得信赖的选择。

NSBC123JDXV6T1G参数

参数
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563-6
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

NSBC123JDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC123JDXV6T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR ON SEMICONDUCTOR NSBC123JDXV6T1G NSBC123JDXV6T1G数据手册

NSBC123JDXV6T1G封装设计

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