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FDC6561AN-NB5S007A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3V@ 250µA 3.2nC@ 5V 2个N沟道 30V 95mΩ@ 2.5A,10V 220pF@15V 贴片安装 2.9mm(长度)*1.6mm(宽度)
供应商型号: FL-FDC6561AN-NB5S007A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDC6561AN-NB5S007A

FDC6561AN-NB5S007A概述

    FDC6561AN 双通道逻辑电平功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDC6561AN 是一款双通道 N 沟道逻辑电平 PowerTrenchTM MOSFET,采用先进的 PowerTrench 工艺制造。这种工艺特别设计用于减小导通电阻(RDS(ON))同时保持低栅极电荷,从而实现卓越的开关性能。这款 MOSFET 非常适合需要小巧尺寸的应用,尤其是电池供电系统的低成本 DC/DC 转换。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDSS:漏源电压,30 V
    - VGSS:栅源电压,连续,±20 V
    - ID:漏电流,连续,2.5 A
    - PD:最大耗散功率,0.96 W(条件 a),0.9 W(条件 b),0.7 W(条件 c)
    - TJ, TSTG:工作和存储温度范围,-55 到 150 °C
    - 热特性
    - RθJA:结到环境的热阻,130 °C/W
    - RθJC:结到外壳的热阻,60 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 非常快的开关速度:FDC6561AN 具有快速的开关特性,能够减少开关损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷:典型值为 2.1 nC,有助于降低驱动功耗,适合高频应用。
    - SuperSOT-6 封装:小封装尺寸(比标准 SO-8 小 72%),适用于紧凑型设计。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) 为 0.095 Ω;在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) 为 0.145 Ω。

    4. 应用案例和使用建议


    FDC6561AN 广泛应用于便携式设备、电源管理和电池充电器等领域。例如,在一个简单的 DC/DC 转换器中,FDC6561AN 可以有效地将电池电压转换为系统所需的电压,且具有较小的体积和较高的效率。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高负载条件下,以避免过热。
    - 使用适当的 PCB 设计,以减少寄生电容和电感,提高整体性能。
    - 考虑使用外部驱动电路,以进一步优化开关性能和效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDC6561AN 可以与大多数常见的电源管理 IC 和微控制器兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和应用指南,可以通过电话、邮件或官方网站获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何优化 FDC6561AN 的开关性能?
    - A: 通过减少寄生电容和电感,优化 PCB 布局,可以显著提升开关性能。另外,使用外部驱动电路也可以改善开关特性。
    - Q: 在高温环境下如何确保 FDC6561AN 的正常工作?
    - A: 选择合适的散热设计和材料,确保 MOSFET 不会过热。可以在应用中添加散热片或采用液冷等方式来控制温度。

    7. 总结和推荐


    FDC6561AN 是一款高性能的双通道 N 沟道 MOSFET,具备优秀的开关性能、低栅极电荷和紧凑的封装尺寸。它非常适合电池供电系统中的 DC/DC 转换器应用。对于寻求高效、紧凑和可靠解决方案的设计者来说,FDC6561AN 是一个理想的选择。
    总体而言,我强烈推荐 FDC6561AN 给需要高性能 MOSFET 的设计师和工程师。

FDC6561AN-NB5S007A参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 220pF@15V
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 95mΩ@ 2.5A,10V
通道数量 -
栅极电荷 3.2nC@ 5V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 2.9mm(长度)*1.6mm(宽度)
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

FDC6561AN-NB5S007A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDC6561AN-NB5S007A数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDC6561AN-NB5S007A FDC6561AN-NB5S007A数据手册

FDC6561AN-NB5S007A封装设计

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