处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS6H852NLWFT1G

NVMFS6H852NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),54W(Tc) 2V@ 45µA 17nC@ 10 V 1个N沟道 80V 13.1mΩ@ 10A,10V 906pF@40V SO 贴片安装
供应商型号: 863-NVMFS6H852NLWFTG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H852NLWFT1G

NVMFS6H852NLWFT1G概述


    产品简介


    NVMFS6H852NL 是一款由ONSEMI生产的单个N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为电源应用设计。这款器件具有极低的导通电阻(RDS(on)),能够在大电流条件下提供高效能表现。它广泛应用于汽车电子、工业自动化、通信设备及消费电子等多个领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS):80V
    - 最大连续漏极电流(ID):42A(TC = 25°C时)
    - 最大漏极功率耗散(PD):54W(TC = 25°C时)
    - 导通电阻(RDS(on)):13.1mΩ(VGS = 10V,ID = 10A时)
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):17nC(VGS = 10V,VDS = 40V;ID = 20A时)
    - 阈值栅极电荷(QG(TH)):2nC(VGS = 4.5V,VDS = 40V;ID = 20A时)

    产品特点和优势


    NVMFS6H852NL具备以下几个显著特点:
    - 紧凑设计:尺寸仅为5x6mm,适合紧凑空间的应用。
    - 低RDS(on):极低的导通电阻能够大大减少传导损耗。
    - 低QG和电容:减少驱动器损耗。
    - 湿法边缘选项:提高了光学检测性能。
    - 符合AEC-Q101标准:适用于高可靠性要求的汽车电子。
    - 无铅和RoHS合规:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:NVMFS6H852NL适用于需要大电流处理能力且对尺寸有严格要求的应用,如开关电源、电机驱动器等。典型的应用环境包括电动汽车、太阳能逆变器和电信基站。
    使用建议:为了最大化性能,应确保散热良好。可以使用合适的热界面材料(TIM)来提高散热效果。另外,注意控制驱动电压,避免过压导致损坏。

    兼容性和支持


    NVMFS6H852NL在多个平台和系统中表现出良好的兼容性,可以与常见的电源管理IC和控制器无缝集成。ONSEMI提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档、技术论坛和支持热线。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查驱动电压是否达到最小阈值,检查是否有短路现象。 |
    | 开关速度慢 | 确保栅极驱动电路正确设计,增加栅极电阻或减少寄生电感。 |
    | 发热严重 | 检查散热设计是否合理,使用更大的散热片或热界面材料。 |

    总结和推荐


    NVMFS6H852NL以其出色的性能、可靠的品质和广泛的适用性,在电力电子应用中表现出色。其小巧的尺寸和高效率使其成为众多应用的理想选择。我们强烈推荐使用此款MOSFET,尤其适用于需要高性能、高可靠性的应用场景。

NVMFS6H852NLWFT1G参数

参数
栅极电荷 17nC@ 10 V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 13.1mΩ@ 10A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 45µA
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 3.6W(Ta),54W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 906pF@40V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H852NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H852NLWFT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS6H852NLWFT1G NVMFS6H852NLWFT1G数据手册

NVMFS6H852NLWFT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.0465 ¥ 8.8429
10+ $ 0.8602 ¥ 7.2687
100+ $ 0.5808 ¥ 4.9078
500+ $ 0.4579 ¥ 3.8694
1000+ $ 0.4342 ¥ 3.6687
1500+ $ 0.405 ¥ 3.4223
3000+ $ 0.3704 ¥ 3.1302
库存: 7421
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.84
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0