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FDMT800150DC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),156W(Tc) 20V 4V@ 250µA 108nC@ 10 V 1个N沟道 150V 6.5mΩ@ 15A,10V 15A,99A 8.205nF@75V QFN 贴片安装 3.3mm*3.3mm*800μm
供应商型号: CY-FDMT800150DC
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMT800150DC

FDMT800150DC概述

    FDMT800150DC MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    FDMT800150DC 是一款 N 沟道 MOSFET,采用 onsemi 先进的 POWERTRENCH 制造工艺。该产品属于 PQFN8 8X8, 2P 封装,且具备 Dual Cool 技术。
    主要功能:
    - 极低的 rDS(on),支持高效率
    - 支持软恢复的下一代增强体二极管技术
    - 适用于开关频率较高的应用
    应用领域:
    - 热插拔 FET
    - 同步整流
    - 直流到直流转换器

    2. 技术参数


    以下是 FDMT800150DC 的关键技术参数:
    | 参数 | 数值 |

    | 最大 rDS(on) | 6.5 mΩ(VGS=10V, ID=15A)
    8.4 mΩ(VGS=8V, ID=13A)|
    | 最大漏源电压 VDS | 150 V |
    | 最大漏极电流 ID | 99 A (TC=25°C)
    62 A (TC=100°C) |
    | 电源耗散 PD | 156 W (TC=25°C)
    3.2 W (TA=25°C) |
    | 最高工作温度 TJ | -55°C ~ +150°C |
    | 节点至壳体热阻 RJC | 1.6 °C/W(顶部源极)
    0.8 °C/W(底部漏极) |
    | 节点至环境热阻 RJA | 38 °C/W ~ 21 °C/W |


    3. 产品特点和优势


    - 先进封装技术:该产品采用了先进的 POWERTRENCH 工艺和 Dual Cool 封装技术,实现低 rDS(on) 和高效率。
    - 软恢复二极管技术:下一代增强体二极管技术,实现软恢复,适合高频开关应用。
    - 高可靠性:具备 MS1 级别稳健的封装设计,并经过 100% UL 测试。
    - 环保合规:无铅、无卤素,并符合 RoHS 规范。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个典型的直流到直流转换器中,FDMT800150DC 可以作为同步整流器使用,以降低损耗并提高效率。
    - 在热插拔应用中,它可以用于保护电路,避免瞬时故障对系统的影响。
    使用建议:
    - 建议使用较大的散热片或强制空气流动来控制温度,从而确保产品的可靠运行。
    - 根据应用需求选择合适的 PCB 设计和铜箔布局,以优化散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与常见的电子元器件和其他设备良好兼容,适用于多种不同的应用场景。
    - 支持:onsemi 提供详尽的技术文档、在线支持和客户服务,帮助用户解决任何技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 如何优化热管理?
    - 产品是否存在热稳定性问题?
    解决方案:
    - 优化热管理:使用较大的散热片或者增加散热风扇来加强空气流动。
    - 解决热稳定性问题:确保良好的 PCB 布局和适当的铜箔尺寸,以便更好地散发热量。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    FDMT800150DC MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,具有极低的 rDS(on)、出色的开关性能和高效能。特别适合应用于高频开关电源、热插拔和同步整流等领域。
    推荐使用:
    鉴于其出色的功能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高效能、高可靠性的应用中使用 FDMT800150DC。onsemi 提供全方位的支持,确保用户在使用过程中能够获得最佳体验。

FDMT800150DC参数

参数
Id-连续漏极电流 15A,99A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 150V
栅极电荷 108nC@ 10 V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.205nF@75V
最大功率耗散 3.2W(Ta),156W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 6.5mΩ@ 15A,10V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*800μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMT800150DC厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMT800150DC数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMT800150DC FDMT800150DC数据手册

FDMT800150DC封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 3.7145 ¥ 30.8461
50+ $ 3.5544 ¥ 30.3049
100+ $ 3.4903 ¥ 30.0343
300+ $ 3.4583 ¥ 29.7638
500+ $ 3.4263 ¥ 29.4932
1000+ $ 3.3302 ¥ 28.1403
5000+ $ 3.3302 ¥ 28.1403
库存: 73035
起订量: 33 增量: 1
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