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FDG6320C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mW 8V 1.5V@ 250µA 0.4nC@ 4.5V 2N+2P沟道 25V 4Ω@ 220mA,4.5V 220mA,140mA 9.5pF@10V SC-70-6,SC-88 贴片安装 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
供应商型号: UA-FDG6320C
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDG6320C

FDG6320C概述

    FDG6320C Digital FET 技术手册

    产品简介


    FDG6320C 是一款双N沟道和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(FET),采用ON Semiconductor独有的高密度DMOS工艺制造。该产品专为低电压应用设计,可作为双极数字晶体管和小信号MOSFET的替代品。由于无需偏置电阻,这种双数字FET可以替代多种不同类型的数字晶体管,极大地简化了电路设计。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): N-Channel 25 V, P-Channel -25 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±8 V
    - 漏极连续电流 (ID): N-Channel 0.22 A, P-Channel -0.14 A
    - 最大功耗 (PD): 0.3 W
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): N-Channel 25 V, P-Channel -25 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): N-Channel 4.0 Ω @ VGS = 4.5 V, 5.0 Ω @ VGS = 2.7 V; P-Channel 10 Ω @ VGS = -4.5 V, 13 Ω @ VGS = -2.7 V
    - 门限电压 (VGS(th)): N-Channel 0.65 V至1.5 V, P-Channel -0.65 V至-1.5 V
    - 门源电荷 (Qg): N-Channel 0.29 nC 至 0.4 nC, P-Channel 0.22 nC 至 0.31 nC
    - 输入电容 (Ciss): N-Channel 9.5 pF, P-Channel 12 pF
    - 热特性:
    - 热阻 (RθJA): 415°C/W

    产品特点和优势


    FDG6320C 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 高集成度:通过单个芯片替代多种不同类型的数字晶体管,简化电路设计。
    - 低门限电压:低至1.5 V的门限电压使得这些FET可以直接在3 V电路中运行。
    - 高可靠性:集成的栅源齐纳二极管提供了超过6 kV的人体模型静电放电保护。
    - 环保:无铅且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    FDG6320C 可用于多种低电压数字电路中,如微控制器、开关电源、电机驱动等领域。以下是几个具体的应用场景:
    - 微控制器接口:用于微控制器的GPIO扩展,简化电路设计。
    - 电机驱动电路:利用其快速响应时间和低导通电阻提高电机控制效率。
    - 电源管理:适用于各种直流到直流转换器和电池充电器中的开关电源。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,应注意散热问题,确保良好的热设计。
    - 在高速切换时,考虑输入电容的影响,以避免信号失真。

    兼容性和支持


    FDG6320C 采用SC70-6封装,与多种标准电路板设计兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的技术文档和在线资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:漏源电压超出额定值。
    - 解决方法:检查电路连接,确保电源电压不超过25 V。

    - 问题2:栅源电压超限。
    - 解决方法:确保使用正确的偏置电阻,防止过高的栅源电压。

    总结和推荐


    FDG6320C 数字FET凭借其紧凑的封装、高效的性能和高度集成的设计,在低电压数字电路中表现出色。对于需要高性能、低功耗解决方案的应用来说,这是一款非常理想的选择。强烈推荐使用这款产品,特别是对那些寻求简化电路设计并提高系统可靠性的工程师来说。
    通过使用FDG6320C,设计师可以实现更加高效、可靠的电子设备,减少设计复杂性和生产成本。

FDG6320C参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 220mA,4.5V
Id-连续漏极电流 220mA,140mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.5pF@10V
最大功率耗散 300mW
通道数量 2
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 25V
配置
栅极电荷 0.4nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
FET类型 2N+2P沟道
长*宽*高 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
通用封装 SC-70-6,SC-88
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDG6320C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDG6320C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDG6320C FDG6320C数据手册

FDG6320C封装设计

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