处理中...

首页  >  产品百科  >  FDMS0302S

FDMS0302S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),89W(Tc) 20V 3V@1mA 109nC@ 10V 1个N沟道 30V 1.9mΩ@ 28A,10V 29A,49A 7.35nF@15V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: FL-FDMS0302S
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS0302S

FDMS0302S概述

    FDMS0302S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 技术手册概述

    产品简介


    FDMS0302S 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N-Channel PowerTrench® 同步FET(场效应晶体管)。这款产品特别适用于电源转换应用,其设计旨在最小化功率转换过程中的损耗。FDMS0302S 的主要功能包括低导通电阻(rDS(on))和高效率,这使其在同步整流器、笔记本电脑的 Vcore 和 GPU 侧边开关、网络点负载低边开关等领域具有广泛应用。

    技术参数


    以下是 FDMS0302S 的关键技术规格和电气特性:
    - 最大导通电阻 (rDS(on))
    - 在 VGS = 10 V,ID = 28 A 时为 1.9 mΩ
    - 在 VGS = 4.5 V,ID = 23 A 时为 2.4 mΩ
    - 最高击穿电压 (BVDSS)
    - 30 V
    - 最大漏极电流 (ID)
    - 连续:25 °C 下 49 A
    - 脉冲:150 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS)
    - 162 mJ
    - 热阻 (RθJA)
    - 50 °C/W(当安装在 1 in² 的 2 盎司铜板上)
    - 封装温度范围
    - 操作:-55 至 +150 °C
    - 存储:-55 至 +150 °C

    产品特点和优势


    FDMS0302S 具有以下显著特点和优势:
    - 低 rDS(on):FDMS0302S 提供了极低的导通电阻,确保了高效能的功率转换。
    - 高效率:通过先进的硅技术和封装技术,实现了高效的性能。
    - 内置肖特基二极管:具有内置的肖特基二极管,提高了整体效率。
    - 坚固的设计:符合 MSL1 等级的标准,具备良好的可靠性。
    - 全面测试:100% UI 测试确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    FDMS0302S 主要应用于同步整流器、笔记本电脑的 Vcore/GPU 侧边开关、网络点负载低边开关等场合。根据手册中的数据,我们可以在实际应用中注意到以下几点:
    - 散热管理:由于其较高的功耗,需要良好的散热设计以保证长期稳定运行。
    - 保护措施:建议在电路中加入过流保护和其他保护措施以确保安全使用。
    - 驱动电路:选择合适的栅极电阻(Rg)以优化驱动电路。

    兼容性和支持


    FDMS0302S 设计上考虑到了与其他电子元器件的兼容性。此外,Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,以确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能会遇到的问题及解决方案:
    - 导通电阻过高:检查是否因温度过高导致 rDS(on) 增大,可以采取更好的散热措施。
    - 漏电流过大:检查是否有外部干扰或器件损坏,进行必要的检测和更换。
    - 工作不稳定:检查电源供应是否稳定,确认驱动电路配置正确。

    总结和推荐


    总体而言,FDMS0302S 是一款高性能的 N-Channel PowerTrench® 同步FET,其低导通电阻和高效率使其成为电源转换应用的理想选择。如果您正在寻找一个可靠的、高效的解决方案,FDMS0302S 将是一个值得考虑的选择。无论是在同步整流器还是其他类似的应用中,它都能提供出色的表现。
    以上是对 FDMS0302S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 技术手册的内容总结和分析。希望这些信息对您的应用开发有所帮助。

FDMS0302S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.35nF@15V
配置 独立式
栅极电荷 109nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
通道数量 1
Id-连续漏极电流 29A,49A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9mΩ@ 28A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.5W(Ta),89W(Tc)
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

FDMS0302S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS0302S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS0302S FDMS0302S数据手册

FDMS0302S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3974 ¥ 3.3663
库存: 12000
起订量: 1499 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3.36
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336