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NTD20N03L27T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 20 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: FL-NTD20N03L27T4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD20N03L27T4G

NTD20N03L27T4G概述


    产品简介


    NTD20N03L27/NVD20N03L27 是一款低功耗封装的N沟道垂直功率MOSFET。作为通用型器件,它具有出色的性价比,广泛应用于电源管理、感应负载控制及脉宽调制电机控制系统。这款逻辑电平MOSFET以其超低的漏源导通电阻(RDS(on))而闻名,特别适合需要高效率的电路设计。

    技术参数


    - 漏极至源极电压(VDSS):30 Vdc
    - 栅极至漏极电压(RGS=1.0 MΩ):30 Vdc
    - 栅极至源极电压(连续):±20 Vdc
    - 栅极至源极电压(非重复性,tp=10 ms):±24 Vdc
    - 漏极电流(连续,TA=25°C):20 Adc
    - 漏极电流(连续,TA=100°C):16 Adc
    - 单脉冲漏极电流(tp=10 μs):60 Adc
    - 总功率消耗(TA=25°C):74 W
    - 热阻(结至壳):1.67 °C/W
    - 热阻(结至环境):100 °C/W
    - 最大焊接温度(1/8" 离组件10秒):260 °C

    产品特点和优势


    - 超低RDS(on):采用先进的技术,具有卓越的导电性能。
    - SPICE参数可用:提供详细的仿真模型。
    - 二极管特性适用于桥式电路:有助于在不同应用中实现最佳性能。
    - 高温条件下的漏电流和导通电压:确保在恶劣环境下的稳定性。
    - 高雪崩能量:可以承受瞬时过载电流。
    - 静电放电(ESD)保护:符合JEDAC标准的ESD防护等级。
    - 无铅且符合RoHS标准:绿色环保设计。
    - 符合汽车和其他要求严格的应用标准:例如AEC-Q101认证。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源供应系统:利用其高效的导通电阻,可以在开关电源中提高整体能效。
    - 感应负载:如电动机控制,可实现精确的电流控制和稳定的工作状态。
    - PWM电机控制:在需要频繁开关的场合,可显著减少能耗。
    使用建议:
    - 优化电路设计:选择适当的驱动电阻(如9.1Ω),以确保快速的开关时间。
    - 散热设计:考虑到较高的热阻,合理设计散热片或采用散热膏,保证长时间工作的稳定性。
    - 注意ESD保护:在处理过程中避免静电放电,以确保产品正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTD20N03L27/NVD20N03L27适用于各种工业标准的电路板设计。
    - 支持:厂商提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和参数模型下载。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确定正确的驱动电压?
    - A:根据数据手册,建议使用5Vdc的栅极电压,以确保最低的RDS(on)。

    - Q:在高温度环境下运行是否会损坏器件?
    - A:数据手册指出,器件能在-55°C到150°C的范围内安全工作。但在极端温度下需进行适当散热处理。
    - Q:如果遇到过压情况怎么办?
    - A:应通过合适的电路设计,如添加TVS二极管,来限制电压峰值,防止损坏器件。

    总结和推荐


    NTD20N03L27/NVD20N03L27 是一款优秀的功率MOSFET,具备高性能、高可靠性、环保等特点。其独特的特性使其成为许多高效率应用的理想选择。鉴于其出色的参数和广泛应用的支持,强烈推荐在电源管理和电机控制等领域采用此款器件。

NTD20N03L27T4G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@ 10A,5V
最大功率耗散 1.75W(Ta),74W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.26nF@25V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 18.9nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTD20N03L27T4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD20N03L27T4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G数据手册

NTD20N03L27T4G封装设计

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