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FDFMA2P029Z

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.4W(Tj) 12V 1.5V@ 250µA 10nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 95mΩ@ 3.1A,4.5V 3.1A 720pF@10V MICROFET-6 贴片安装 2mm*2mm*750μm
供应商型号: FL-FDFMA2P029Z
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z概述


    产品简介


    FDFMA2P029Z 是一款专为电池充电开关设计的单封装解决方案,适用于蜂窝手机及其他超便携应用。该器件结合了一个具有极低导通电阻的P沟道MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管,能够实现最小的导通损耗。其MicroFET 2×2封装提供了出色的小尺寸热性能,非常适合线性模式应用。

    技术参数


    - MOSFET
    - 最大导通电阻:\(r{DS(on)}\) = 95 mΩ(\(V{GS} = -4.5\) V, \(ID = -3.1\) A)
    - 最大导通电阻:\(r{DS(on)}\) = 141 mΩ(\(V{GS} = -2.5\) V, \(ID = -2.5\) A)
    - 静态门到源漏极导通电阻:\(r{DS(on)}\) = 60 mΩ 至 95 mΩ(\(V{GS} = -4.5\) V, \(ID = -3.1\) A)
    - 最大漏源电压:\(V{DS}\) = -20 V
    - 最大门源电压:\(V{GS}\) = ±12 V
    - 漏极连续电流:\(ID\) = -3.1 A
    - 肖特基二极管最大平均正向电流:\(IO\) = 2 A
    - 肖特基二极管最大正向电压:\(VF\) < 0.37 V(500 mA)
    - 封装
    - 封装类型:WDFN6 2×2, 0.65P
    - 高度:0.8 mm
    - 铅含量:无铅且符合RoHS标准
    - 环境条件
    - 工作温度范围:\(-55 \text{°C} \text{至} +150 \text{°C}\)
    - 储存温度范围:\(-55 \text{°C} \text{至} +150 \text{°C}\)

    产品特点和优势


    - 极低导通电阻:\(r{DS(on)}\) 达到最低95 mΩ,可显著减少导通损耗。
    - 优秀的热性能:MicroFET 2×2封装提供了出色的热性能,适合紧凑的设计要求。
    - 高可靠性:HBM ESD保护水平超过2.5 kV,确保可靠的操作。
    - 易于集成:采用小尺寸封装,便于在小型设备中集成。
    - 高温稳定性:即便在125°C环境下,也能保持较低的导通电阻。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDFMA2P029Z 主要应用于蜂窝手机和其他超便携设备的电池充电开关。此外,它也可用于需要极低导通电阻和高可靠性的其他线性模式应用。
    使用建议
    - 在选择电源和驱动器时,应考虑其与FDFMA2P029Z的最大漏源电压匹配。
    - 确保电路板设计合理,以充分利用MicroFET 2×2的优秀热性能。
    - 在极端条件下使用时,注意监测器件温度,确保不超过最高额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与常见的WDFN6 2×2, 0.65P封装兼容,可用于各种板级设计。
    - 支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,包括电气特性表、典型应用电路和故障排除指南。客户可以通过技术支持热线或电子邮件请求进一步帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何测试器件的导通电阻?
    - 解答:使用标准测试仪,在规定的电压和电流条件下测量。

    - 问题2:器件在高温下工作是否稳定?
    - 解答:测试数据表明,即便在125°C的环境下,器件仍能保持较低的导通电阻,具体数值参见技术手册。

    总结和推荐


    FDFMA2P029Z MOSFET以其低导通电阻、高可靠性及优异的热性能,成为电池充电开关的理想选择。适用于蜂窝手机及其他超便携应用。鉴于其独特的性能和市场表现,强烈推荐在相关应用中使用该产品。对于开发高性能便携设备的工程师而言,这款器件无疑是一个值得信赖的选择。

FDFMA2P029Z参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 1.4W(Tj)
FET类型 1个P沟道
配置 独立式withschottkydiode
Rds(On)-漏源导通电阻 95mΩ@ 3.1A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
栅极电荷 10nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 720pF@10V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 3.1A
长*宽*高 2mm*2mm*750μm
通用封装 MICROFET-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDFMA2P029Z厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDFMA2P029Z数据手册

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FDFMA2P029Z封装设计

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