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NTMFS5C604NLT1G-UIL3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),200W(Tc) 20V 2V@ 250µA 120nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.2mΩ@ 50A,10V 40A,287A 8.9nF@25V DFN-5 贴片安装
供应商型号: 488-NTMFS5C604NLT1G-UIL3CT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5C604NLT1G-UIL3

NTMFS5C604NLT1G-UIL3概述


    产品简介


    产品类型与功能
    NTMFS5C604NL 是一款单个 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换应用设计。它具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于需要紧凑设计和高性能的场合。
    应用领域
    该器件广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动和汽车电子等领域。其小尺寸封装使其特别适合于空间受限的应用,如移动设备和便携式电子产品。

    技术参数


    主要规格
    - 漏源电压 (VDSS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):287A(在 TC = 25°C 下)
    - 最大功耗 (PD):200W(在 TC = 25°C 下)
    - 热阻 (RJA):39°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):−55°C 到 +175°C
    - 阈值电压 (VGS(TH)):1.2V 至 2.0V
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):1.2mΩ(在 VGS = 10V, ID = 50A 下)
    - 零栅源漏电流 (IDSS):10μA(在 VGS = 0V, VDS = 60V 下)
    - 输入电容 (CISS):8900pF
    - 输出电容 (COSS):3750pF
    - 总栅电荷 (QG(TOT)):120nC(在 VGS = 10V 下)

    产品特点和优势


    - 小尺寸封装 (5x6mm):适合紧凑设计。
    - 低 RDS(on):最小化导通损耗。
    - 低 QG 和电容:降低驱动损耗。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:环保可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该 MOSFET 在开关电源和直流-直流转换器中广泛应用。例如,在一个典型的设计中,NTMFS5C604NL 可以用于实现高效能的电压转换和电流调节。
    使用建议
    1. 散热管理:由于其高功耗,必须确保良好的散热管理。可以采用散热片或风扇辅助散热。
    2. 门极驱动:考虑到其低栅电荷 (QG),建议使用快速门极驱动器以提高开关速度。
    3. 保护电路:在高压应用中,应添加适当的保护电路,如钳位二极管和过压保护装置。

    兼容性和支持


    兼容性
    NTMFS5C604NL 封装为 DFN5,适用于多种 PCB 设计。其引脚布局与常见的 SO-8FL 封装兼容,便于现有设计的升级和替换。
    支持信息
    ON Semiconductor 提供详细的技术文档和在线支持,帮助用户进行设计和调试。此外,公司还提供样品请求和购买渠道信息,方便用户获取所需产品。

    常见问题与解决方案


    问题一:散热不足导致过热
    解决方案:增加散热片或采用强制风冷措施。确保 PCB 设计中有足够的铜箔用于散热。
    问题二:开关频率过高导致损耗增加
    解决方案:优化门极驱动电路,减少 QG 以降低驱动损耗。使用同步整流技术可以进一步提高效率。
    问题三:栅极驱动信号不稳定
    解决方案:检查门极驱动电路,确保其信号稳定。必要时可以增加栅极电阻来改善信号质量。

    总结和推荐


    NTMFS5C604NL 是一款高效率、紧凑设计的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高电流和高可靠性要求的应用场景。其优异的电气特性和可靠的性能使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,该产品是设计者在需要高功率密度和高效能应用中的理想选择。强烈推荐给需要高性能功率转换解决方案的工程师和设计师。

NTMFS5C604NLT1G-UIL3参数

参数
最大功率耗散 3.9W(Ta),200W(Tc)
Id-连续漏极电流 40A,287A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.9nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 120nC@ 10 V
通用封装 DFN-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS5C604NLT1G-UIL3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5C604NLT1G-UIL3数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1G-UIL3 NTMFS5C604NLT1G-UIL3数据手册

NTMFS5C604NLT1G-UIL3封装设计

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10+ $ 1.8117 ¥ 15.3087
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