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NVTFS4C06NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),37W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 26nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4.2mΩ@ 30A,10V 21A 1.683nF@15V WDFN-8 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: 863-NVTFS4C06NTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS4C06NTAG

NVTFS4C06NTAG概述

    NVTFS4C06N MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NVTFS4C06N 是一款单个N沟道功率MOSFET,具有8FL封装,其关键特性包括:最大电压为30V,连续漏极电流为71A,导通电阻RDS(on) 最大值为4.2mΩ(在10V条件下),适用于需要高效率和低损耗的应用场景。
    该产品广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备等领域,特别是在需要高效能和低功耗的场合。

    2. 技术参数


    以下是NVTFS4C06N的主要技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDSS) | 30 | V |
    | 门源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 21(TA=25°C)
    15(TA=100°C) | A |
    | 门源泄漏电流 (IGSS)| ±100 | nA |
    | 反向恢复时间 (tRR) | 34 | ns |
    | 反向恢复电荷 (QRR) | 22 | nC |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 4.2(VGS=10V)
    6.1(VGS=4.5V) | mΩ |

    3. 产品特点和优势


    NVTFS4C06N 的主要特点是低RDS(on),低门级电容,以及优化的门级电荷,这些都大大减少了传导损耗、驱动损耗和开关损耗。此外,该产品符合无铅、卤素自由和BFR自由标准,并通过RoHS认证,适合于汽车及其他高可靠性要求的应用。
    NVTFS4C06N 采用了WDFN8 3.3x3.3封装,具有较高的功率密度,且支持湿法电镀,能够在严苛环境中稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    NVTFS4C06N 的典型应用场景包括:
    - 电源管理:用于直流-直流转换器和负载开关。
    - 电机控制:作为马达的驱动器。
    - 通信设备:用于电源供应和信号处理。
    使用建议:
    - 在选择外部栅极电阻时,要考虑到开关时间和能耗之间的平衡。
    - 在高温环境下工作时,应注意散热措施以确保器件正常运行。

    5. 兼容性和支持


    NVTFS4C06N 与多种电路和系统兼容,特别是与直流-直流转换器和电机控制设备。Semiconductor Components Industries LLC提供详尽的技术文档和支持,帮助客户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是用户可能遇到的一些常见问题及解决方案:
    - 问题:电源转换效率较低。
    解决方案:检查RDS(on) 是否符合应用需求,确保栅极电阻选择适当。
    - 问题:器件过热。
    解决方案:增加散热措施,如使用散热片或改进PCB设计以提高散热效果。
    - 问题:器件损坏。
    解决方案:确保不超过器件的最大额定值,并在电路设计中考虑适当的保护措施。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NVTFS4C06N 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适合在需要高效能和低损耗的应用中使用。它具备低导通电阻和优化的门级电荷,使其在多种应用场景下表现出色。强烈推荐使用该产品,尤其是对于那些对电源管理和电机控制有严格要求的应用。
    希望这篇解析能够帮助您更好地理解NVTFS4C06N MOSFET的技术特性和应用前景。

NVTFS4C06NTAG参数

参数
Id-连续漏极电流 21A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.683nF@15V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
栅极电荷 26nC@ 10 V
最大功率耗散 3.1W(Ta),37W(Tc)
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 WDFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NVTFS4C06NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS4C06NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS4C06NTAG NVTFS4C06NTAG数据手册

NVTFS4C06NTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.0125 ¥ 16.8849
10+ $ 1.3685 ¥ 11.4817
100+ $ 0.924 ¥ 7.6114
500+ $ 0.7398 ¥ 6.2069
1500+ $ 0.6361 ¥ 5.337
3000+ $ 0.6153 ¥ 5.1624
库存: 1500
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