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2N6287G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3V@ 200mA,20A PNP - Darlington 160W 5V 1mA 100V 100V 20A TO-204,TO-3 通孔安装 39.37mm*26.67mm*8.51mm
供应商型号: LDL-2N6287G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 2N6287G

2N6287G概述


    产品简介


    2N6284(NPN)和2N6286、2N6287(PNP)是来自ON Semiconductor的互补型硅功率晶体管,属于达林顿结构的高电流增益器件。这类晶体管主要设计用于通用放大器和低频开关应用,具有高DC电流增益、大功率处理能力和优良的热特性。作为一款高性能的双极型晶体管,它能够广泛应用于音频功率放大器、电机控制、电源管理以及工业自动化等领域。

    技术参数


    以下是2N6284/2N6286/2N6287系列晶体管的关键技术参数:
    | 参数类别 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 最大额定值 | 集电极-发射极电压 | 80 | 100 | 100 | Vdc |
    集电极-基极电压 | 80 | 100 | 100 | Vdc |
    发射极-基极电压 | 5.0 | - | - | Vdc |
    集电极电流(连续) | 20 | - | 40 | Adc |
    总功耗(@25°C) | 160 | - | - | W |
    热阻(结至壳) | - | 1.09 | - | °C/W |
    | 工作温度范围 | 结温/存储温度 | -65 | - | +200 | °C |
    其他性能指标:
    - DC电流增益(IC=10Adc, VCE=3.0Vdc):750至18,000
    - 集电极-发射极饱和电压(IC=10Adc, IB=40mAdc):2.0Vdc
    - 小信号电流增益(f=1kHz, IC=10Adc, VCE=3.0Vdc):300
    - 输出电容(VCB=10Vdc, IE=0, f=0.1MHz):400至600pF

    产品特点和优势


    1. 高电流增益:NPN型号2N6284的典型增益为2400,而PNP型号2N6287可达4000,确保高效的电流控制能力。
    2. 内置保护机制:具备内置基极-发射极分流电阻,提高了器件可靠性。
    3. 宽泛的工作温度范围:能够在极端条件下稳定运行(-65°C至+200°C),适应各种恶劣环境。
    4. 兼容无铅封装:提供无铅(Pb-Free)版本以满足环保需求。
    5. 可靠性高:通过严格的高温应力测试验证,适用于长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 音频功率放大器:利用其高增益特性进行信号放大。
    - 直流电机驱动:适合需要低频开关操作的电路。
    - 电池管理系统:用于监测和控制充电电路。
    使用建议:
    - 散热管理:为了确保器件的安全工作,应严格遵循图1所示的功率降额曲线,避免因过热导致性能下降。
    - 基极驱动电路设计:当使用高电流时,建议通过合理选择基极电阻(RB)来减少功耗。
    - 兼容性检查:与电源模块、微控制器等配合使用时,需确认接口匹配及电压兼容性。

    兼容性和支持


    该系列产品提供标准的TO-3封装,方便集成于现有系统中。ON Semiconductor官方支持平台提供了详尽的技术文档和应用指南,用户可在线下载,获取更多设计资源和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 功率过高导致温度升高 | 加装散热片或优化散热路径 |
    | 开关速度不足 | 调整基极驱动电路,减少寄生效应 |
    | 晶体管损坏 | 确认输入信号不超过最大额定值,检查电路布局 |

    总结和推荐


    2N6284/2N6286/2N6287是一款性能卓越、可靠性强的硅功率晶体管,特别适合需要大电流增益和耐高温环境的应用场景。其高增益、宽温范围及内置保护机制使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效能、耐用性和环保特性的设计者来说,该产品无疑是一个理想的选择。
    推荐指数:★★★★★

2N6287G参数

参数
配置 独立式
晶体管类型 PNP - Darlington
集电极电流 20A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 3V@ 200mA,20A
VCBO-最大集电极基极电压 100V
集电极截止电流 1mA
最大功率耗散 160W
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
最大集电极发射极饱和电压 3V@ 200mA,20A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
长*宽*高 39.37mm*26.67mm*8.51mm
通用封装 TO-204,TO-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

2N6287G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N6287G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR 2N6287G 2N6287G数据手册

2N6287G封装设计

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