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NVMFS5C460NLWFAFT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),50W(Tc) 20V 2V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 40V 4.5mΩ@ 35A,10V 21A,78A 1.3nF@25V SO-FL-8 贴片安装
供应商型号: NVMFS5C460NLWFAFT3G
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C460NLWFAFT3G

NVMFS5C460NLWFAFT3G概述

    NVMFS5C460NL N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVMFS5C460NL 是一款适用于电源管理的单通道N沟道功率MOSFET,采用DFN5和DFNW5封装。该产品以其紧凑设计、低导通电阻及快速开关性能等特点,广泛应用于各种电力转换和驱动控制电路中。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDSS | - | - | 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(TC=25°C) | ID | - | 78 | - | A |
    | 连续漏极电流(TC=100°C) | ID | - | 55 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流(TA=25°C) | IDM | - | - | 396 | A |
    | 导通电阻(VGS=4.5V, ID=35A) | RDS(on) | - | 7.2 | - | mΩ |
    | 导通电阻(VGS=10V, ID=35A) | RDS(on) | - | 4.5 | - | mΩ |
    | 驱动总电荷(VGS=10V, VDS=20V, ID=35A) | QG(TOT) | - | 23 | - | nC |
    | 阈值栅电荷 | QG(TH) | - | 2.5 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 小型化设计:封装尺寸仅为5x6mm,适合紧凑电路设计。
    - 低导通电阻:典型值为4.5mΩ,有效降低导通损耗。
    - 低栅极电荷:典型值为23nC,有助于减少驱动器损耗。
    - 湿气涂层选项:提供增强的光学检查选项,适用于更严格的工业应用。
    - 车规级认证:通过AEC-Q101认证,符合PPAP标准。
    - 环保:无铅,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电动机驱动:在高效率电动机控制中,NVMFS5C460NL可显著提高系统整体能效。
    - 电源转换:用于高频电源转换器,可以实现低损耗运行。
    - 照明系统:在高功率LED驱动中,其快速开关特性和低损耗特性表现优异。

    使用建议:
    - 在使用过程中,应确保驱动器提供足够的栅极电压以保证器件正常工作。
    - 需要特别注意散热设计,尤其是在高功率应用场景中,避免热应力损坏。

    5. 兼容性和支持


    NVMFS5C460NL可与其他同类器件兼容使用。ON Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南及客户支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过高的栅源电压?
    - A: 保持栅源电压在±20V以内,可以通过外部限流电阻来限制输入电流。
    - Q:在高湿度环境下工作,湿气涂层选项的作用是什么?
    - A: 提供湿气涂层有助于提高封装的可靠性和增强光学检测效果,防止湿气对内部引脚造成损害。
    - Q:导通电阻随温度变化而增加,如何应对?
    - A: 在高温环境下工作时,可通过增加散热片或选择外置散热器来降低工作温度,从而减小导通电阻的影响。

    7. 总结和推荐


    NVMFS5C460NL凭借其小巧的封装、优秀的电气性能和多样的应用优势,在电源管理和驱动控制领域表现出色。推荐在需要高效率、高可靠性的应用场合下使用。由于该器件已通过严格的认证,对于寻求高品质、环保且可靠组件的设计师来说是理想的选择。

NVMFS5C460NLWFAFT3G参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 23nC@ 10 V
最大功率耗散 3.6W(Ta),50W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 35A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
Id-连续漏极电流 21A,78A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

NVMFS5C460NLWFAFT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C460NLWFAFT3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C460NLWFAFT3G NVMFS5C460NLWFAFT3G数据手册

NVMFS5C460NLWFAFT3G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 7.7
10000+ ¥ 7.7
15000+ ¥ 7.7
20000+ ¥ 7.7
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