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NVTFS5826NLWFTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),22W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 10 V 2个N沟道 60V 24mΩ@ 10A,10V 7.6A 850pF@25V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: NVTFS5826NLWFTWG-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5826NLWFTWG

NVTFS5826NLWFTWG概述

    NVTFS5826NL Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVTFS5826NL 是一种小型封装(3.3mm x 3.3mm)的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于紧凑设计。其主要功能是在高电流环境下提供高效的电能转换。产品主要用于工业控制、电源管理、汽车电子等领域,尤其适合需要高效、紧凑电路的设计需求。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压:VDSS = 60 V
    - 栅源电压:VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流:20 A (Tmb = 25°C),14 A (Tmb = 100°C)
    - 功耗:22 W (Tmb = 25°C),11 W (Tmb = 100°C)
    - 脉冲漏极电流:127 A (tp = 10 µs)
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻:RDS(on) = 24 mΩ @ 10 V,32 mΩ @ 4.5 V
    - 阈值电压:VGS(TH) = 1.5 ~ 2.5 V
    - 门极电荷:QG(TOT) = 16 nC (VGS = 10 V, VDS = 48 V, ID = 10 A)
    - 热阻
    - 结点到引脚板热阻:RJ-mb = 6.8 °C/W
    - 结点到环境热阻:RJA = 47 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸:采用 WDFN8 封装,适用于空间受限的应用场合。
    - 低电阻:RDS(on) 最低可达 24 mΩ @ 10 V,显著降低传导损耗。
    - 低栅极电荷:QG(TOT) = 16 nC,有效减少驱动损耗。
    - 环保认证:AEC-Q101 合格,且符合 RoHS 和无铅标准。
    - 可靠性:单脉冲雪崩能量高达 20 mJ,增强耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于汽车电子(如电机驱动)、工业控制设备、电源转换器等领域。
    - 使用建议:
    - 选择合适的 PCB 设计,确保良好的散热。
    - 注意电路布局,避免不必要的杂散电感,提高系统效率。
    - 确保栅极驱动信号的稳定性和完整性,避免开关瞬间的过压或过流。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准 SMD 焊接工艺,与多种 PCB 材料和焊锡工艺兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助解决使用过程中的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何提高系统的整体效率?
    - 解决方案:选择更低 RDS(on) 的 MOSFET,并优化电路布局,以减少杂散电感。
    - 问题2:在高功率应用中如何避免过热?
    - 解决方案:确保良好的 PCB 散热设计,使用大面积铜箔散热,并保持适当的气流。
    - 问题3:栅极电荷过高导致驱动损耗大怎么办?
    - 解决方案:选用总门极电荷更低的 MOSFET,或者优化驱动电路,减小门极驱动电阻。

    7. 总结和推荐


    总体来看,NVTFS5826NL 在紧凑设计、低电阻和高可靠性的要求下表现优秀,特别适合工业和汽车电子应用。其独特的环保特性(如 AEC-Q101 认证和 RoHS 合规)使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐对高性能、环保型 MOSFET 有需求的设计工程师选用该产品。

NVTFS5826NLWFTWG参数

参数
Id-连续漏极电流 7.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@25V
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3.2W(Ta),22W(Tc)
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 16nC@ 10 V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

NVTFS5826NLWFTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5826NLWFTWG数据手册

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NVTFS5826NLWFTWG封装设计

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