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FDS7296N3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta) 20V 3V@ 250µA 32nC@ 10V 1个N沟道 30V 8mΩ@ 15A,10V 15A 1.54nF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: CY-FDS7296N3
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS7296N3

FDS7296N3概述

    FDS7296N3 N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDS7296N3 是一款由Fairchild Semiconductor公司设计的30V N-Channel PowerTrench MOSFET。这款MOSFET专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,适用于同步整流器应用及负载点转换器中的高侧和低侧开关应用。其广泛应用于隔离式和非隔离式拓扑结构的同步降压电压调节模块(VRM)和负载点(POL)转换器。

    技术参数


    FDS7296N3 的关键技术参数如下:
    - 耐压:漏源电压(VDSS)高达30V。
    - 电流:连续电流(ID)最大15A,脉冲电流可达60A。
    - 导通电阻(RDS(ON)):在VGS=10V时,RDS(ON)=8mΩ;在VGS=4.5V时,RDS(ON)=11mΩ。
    - 热阻:结到环境热阻(RθJA)为40°C/W,结到壳热阻(RθJC)为0.5°C/W。
    - 栅极漏电:最大栅极体泄漏电流(IGSS)为±100nA。
    - 阈值电压:在VGS=3.5V至10V之间,VGS(th)范围为1.8V至3.0V。
    - 反向恢复时间(trr):27ns。
    - 总栅极电荷(Qg):12.7nC 至 18nC。

    产品特点和优势


    FDS7296N3 具备以下显著特点和优势:
    - 高性能沟槽技术:通过极其低的RDS(ON)实现高性能。
    - 优化的低Qgd:使开关速度更快,减少CdV/dt栅极耦合。
    - 增强的热性能:采用SO-8 FLMP封装,保持了行业标准封装的外观。
    - 卓越的切换特性:快速开关时间和低栅极电荷确保了高效的能量转换。

    应用案例和使用建议


    FDS7296N3 适用于多种场合,如负载点转换器中的高侧和低侧开关应用。具体应用包括:
    - 同步降压VRM和POL转换器。
    - 隔离和非隔离拓扑结构的同步整流器应用。
    建议在使用FDS7296N3时,要特别注意散热管理,尤其是在高功率应用场景中,以保证其稳定运行。此外,为了优化开关速度和降低功耗,建议选择合适的驱动电路来配合FDS7296N3使用。

    兼容性和支持


    FDS7296N3 采用了标准的SO-8封装,因此在大多数情况下可以轻松集成到现有的设计中。Fairchild Semiconductor公司提供了详尽的技术支持和客户服务,以确保用户能够充分利用这一产品的性能。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能会遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:长时间运行后温度过高。
    解决方案:确保良好的散热设计,或者使用外部散热器。
    - 问题:栅极电荷导致的开关损耗。
    解决方案:选用具有低栅极电荷的MOSFET,或优化驱动电路以减少损耗。
    - 问题:在高电压条件下工作时出现不稳定现象。
    解决方案:确认电压不超过额定的最大值,避免过载操作。

    总结和推荐


    FDS7296N3 在低RDS(ON)和高效率方面表现优异,特别适合用于高功率密度的应用中。其先进的技术和优越的性能使其成为市场上的强有力竞争者。对于需要高效能、紧凑型和可靠性的应用来说,FDS7296N3 是一个非常值得推荐的选择。
    通过以上分析,可以看出FDS7296N3 是一款出色的N-Channel PowerTrench MOSFET,具备出色的性能和广泛的适用性。无论是在电源管理还是负载点转换器等领域,它都将是您的理想选择。

FDS7296N3参数

参数
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.54nF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 15A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
最大功率耗散 3W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 32nC@ 10V
Id-连续漏极电流 15A
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDS7296N3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS7296N3数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS7296N3 FDS7296N3数据手册

FDS7296N3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8594 ¥ 7.3948
300+ $ 0.8515 ¥ 7.3282
500+ $ 0.8436 ¥ 7.2616
1000+ $ 0.8199 ¥ 6.9285
5000+ $ 0.8199 ¥ 6.9285
库存: 2390
起订量: 136 增量: 1
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