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HUF75344P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 UltraFET系列, Vds=55 V, 75 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: AV-S-ONSHUF75344P3
供应商: Avnet
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HUF75344P3

HUF75344P3概述

    HUF75344G3 和 HUF75344P3 N-Channel UltraFET 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUF75344G3 和 HUF75344P3 是 N-Channel UltraFET 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为提高功率效率而设计。这些产品广泛应用于各种高效率电力系统中,例如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电设备中的电源管理。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 (VDSS): 55 V
    - 栅源击穿电压 (VDGR): 55 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 峰值漏极电流 (IDM): 75 A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 (rDS(ON)): 6.5 - 8.0 mΩ @ 75 A, 10 V
    - 热阻抗 (RθJC): 0.52 °C/W (TO-247),0.52 °C/W (TO-220)
    - 电气特性:
    - 栅源阈值电压 (VGS(TH)): 2 - 4 V
    - 漏极电容 (CISS): 3200 pF @ 25 V, 0 V
    - 输出电容 (COSS): 1170 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 310 pF
    - 热特性:
    - 最大焊接温度 (TL): 300 °C
    - 最大封装体温度 (TPKG): 260 °C
    - 开关特性:
    - 开启时间 (tON): 187 ns
    - 关断时间 (tOFF): 147 ns
    - 栅极电荷特性:
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 175 - 210 nC
    - 阈值栅极电荷 (QG(TH)): 5.9 - 7.0 nC

    3. 产品特点和优势


    - 超低导通电阻:得益于创新的UltraFET工艺,导通电阻低至6.5-8.0 mΩ,使得功耗更低,效率更高。
    - 出色的耐浪涌能力:具有很高的浪涌电流承受能力,适合在高能环境下使用。
    - 快速恢复二极管:反向恢复时间和存储电荷低,适用于需要高速切换的应用。
    - 全面的支持文档:提供多种仿真模型和相关应用笔记,便于用户进行系统级设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关调节器:用于DC-DC转换器,如降压、升压和降压-升压电路。
    - 电机驱动器:适用于工业自动化中的电动机控制,可实现高效的能量转换。
    - 便携式设备:适用于笔记本电脑、手机充电器和其他便携式电子产品。
    使用建议:
    - 散热设计:由于导通电阻较低,产生的热量较少,但仍需注意良好的散热设计以防止过热。
    - 布局优化:在PCB设计时,合理布局以减小寄生电感,从而减少开关过程中的电压振荡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准封装兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持服务:提供多种仿真模型(如PSPICE和SABER)及技术文档,帮助用户更好地理解并使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开启延迟时间较长
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否足够,或者尝试降低电路中的寄生电感。

    - 问题: 散热不良导致温度过高
    - 解决方案: 改善散热设计,如增加散热片或优化风道设计。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:超低的导通电阻、快速的恢复时间和出色的设计文档支持使其成为高效电力转换系统的理想选择。
    - 推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用HUF75344G3和HUF75344P3来提升您的电子系统性能。无论是作为新设计的一部分还是替换旧设备,这两个型号都是理想的选择。

HUF75344P3参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 55V
最大功率耗散 285W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 75A,10V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 210nC@ 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.2nF@25V
Id-连续漏极电流 75A
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

HUF75344P3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HUF75344P3数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HUF75344P3 HUF75344P3数据手册

HUF75344P3封装设计

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450+ $ 1.4785 ¥ 13.0848
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