处理中...

首页  >  产品百科  >  EMH1303-TL-E

EMH1303-TL-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5W 10V 12nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 23mΩ@ 6A,4.5V 7A 1.1nF@6V EMH-8 贴片安装
供应商型号: CY-EMH1303-TL-E
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) EMH1303-TL-E

EMH1303-TL-E概述

    # EMH1303 P-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    EMH1303 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的 P 沟道功率 MOSFET。该产品的主要功能是作为电源转换器中的开关元件,特别适用于需要高电流处理能力和低导通电阻的应用。EMH1303 具有低导通电阻(23mΩ)、驱动电压低(1.8V)的特点,适用于多种电路设计,如电池管理、电源转换和电机控制等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): -12V
    - 栅源电压 (VGSS): ±10V
    - 持续漏电流 (ID): -7A
    - 脉冲漏电流 (IDP): -28A (PW≤10μs, duty cycle≤1%)
    - 允许的最大功耗 (PD): 1.5W(安装在1200mm² × 0.8mm陶瓷基板上)
    - 结温 (Tch): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -12V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS1): -1μA (VDS=-8V, VGS=0V)
    - 输入电容 (Ciss): 1100pF (VDS=-6V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 350pF
    - 反向传输电容 (Crss): 265pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 11ns
    - 上升时间 (tr): 165ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 100ns
    - 下降时间 (tf): 105ns
    - 总栅电荷 (Qg): 12.0nC (VDS=-6V, VGS=-4.5V, ID=-7A)

    产品特点和优势


    EMH1303 的主要优势在于其低导通电阻(23mΩ)和低驱动电压(1.8V),这些特性使其非常适合于高效率电源转换和电池管理系统。此外,EMH1303 在高电流条件下仍能保持稳定的性能,且具备出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    EMH1303 可以广泛应用于电池管理、电源转换和电机控制等领域。例如,在电池管理系统中,EMH1303 可以作为开关元件来控制电池充电和放电过程。在电源转换应用中,它可以用于实现高效直流到直流的电压转换。为了更好地发挥其性能,建议在选择 PCB 布局时,确保良好的散热设计和最小化引线电感,从而减少热应力并提高可靠性。

    兼容性和支持


    EMH1303 封装形式为 EMH8,属于无铅封装。它具有较好的电气兼容性,可与各种标准 PCB 设计相匹配。安森美半导体提供了详细的技术支持文档和在线资源,包括设计指南、应用笔记和样品服务,帮助工程师进行产品设计和验证。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断是否正确连接了栅极和源极?
    - 解决方案: 使用数字万用表测量栅极和源极之间的电阻。正常情况下,这两个端子之间应该是断开的。
    2. 问题:EMH1303 是否支持脉冲工作模式?
    - 解决方案: 支持。但在脉冲工作模式下,必须严格控制脉冲宽度(PW≤10μs)和占空比(duty cycle≤1%)以避免损坏设备。

    总结和推荐


    综上所述,EMH1303 是一款性能优异、应用广泛的 P 沟道功率 MOSFET。其低导通电阻和低驱动电压等特点使其在高效率电源转换和电池管理领域有着显著的优势。结合详细的文档支持和可靠的技术支持,强烈推荐在相关设计中选用此产品。

EMH1303-TL-E参数

参数
Vgs-栅源极电压 10V
Vds-漏源极击穿电压 12V
栅极电荷 12nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@6V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 1.5W
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 6A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 独立式
通用封装 EMH-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

EMH1303-TL-E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

EMH1303-TL-E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR EMH1303-TL-E EMH1303-TL-E数据手册

EMH1303-TL-E封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.2042 ¥ 1.7578
1000+ $ 0.1985 ¥ 1.6772
5000+ $ 0.1985 ¥ 1.6772
库存: 28412
起订量: 569 增量: 1
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 878.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831