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FDS6898AZ-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2W 12V 1.5V@ 250µA 23nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 14mΩ@ 9.4A,4.5V 9.4A 1.821nF@10V SOP 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: FL-FDS6898AZ-F085
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS6898AZ-F085

FDS6898AZ-F085概述


    产品简介


    FDS6898AZ-F085 双N通道逻辑电平PWM优化电源MOSFET
    FDS6898AZ-F085 是一款双N通道逻辑电平PWM优化的电源MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由ON Semiconductor公司制造。这些MOSFET采用了该公司先进的PowerTrench工艺,旨在最小化导通电阻并保持出色的开关性能。这款产品特别适合用于低电压和电池供电的应用,例如通信设备、计算机系统和各种便携式电子产品,因为它们需要低内阻损耗和快速切换能力。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源击穿电压 (VDS):20 V
    - 栅源击穿电压 (VGSS):± 12 V
    - 持续漏极电流 (ID):9.4 A
    - 脉冲漏极电流 (ID):38 A
    - 热阻 (RθJA):78 °C/W(标准条件下)
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON))
    - 在 VGS = 4.5 V 时,ID = 9.4 A:14 mΩ
    - 在 VGS = 2.5 V 时,ID = 8.3 A:18 mΩ
    - 最大门电荷 (Qg):16 nC 典型值
    - 输入电容 (Ciss):1821 pF
    - 输出电容 (Coss):440 pF
    - 反向传输电容 (Crss):208 pF
    - 温度范围
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)):
    - FDS6898AZ-F085 的导通电阻非常低,尤其是在较低的栅源电压下,如 VGS = 2.5 V 时仅为 18 mΩ。这使得它非常适合低电压和电池供电的应用。

    - 高可靠性:
    - 该产品经过严格的高温和低温测试,确保其能够在广泛的温度范围内稳定工作。
    - 快速开关特性:
    - 具有低门电荷(16 nC典型值),使得器件可以实现快速的开关操作,从而减少能量损耗和提高效率。
    - 优良的温度特性:
    - 具备较低的导通电阻温度系数(ΔVGS(th)),在不同的工作温度下都能保持稳定的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDS6898AZ-F085 主要应用于需要高效能、低功耗和快速响应时间的电路中。常见的应用场景包括:
    - 便携式电子产品(如手机、平板电脑)
    - 通信设备(如路由器、交换机)
    - 计算机系统(如服务器、工作站)
    使用建议
    - 散热管理: 由于其较高的功率耗散能力,应在设计时考虑良好的散热措施以防止过热。
    - 驱动电路设计: 确保门极驱动电路能够提供足够的电流以快速充电/放电门极电容。
    - 信号完整性: 考虑到较高的开关频率,应当尽量减少引线长度和寄生电感以提高信号完整性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDS6898AZ-F085 采用 SO-8 封装,适用于大多数标准 PCB 设计。
    - 支持服务: ON Semiconductor 提供详细的技术文档、应用指南以及客户支持,帮助用户在设计和调试过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或采用更有效的冷却方式。

    - 问题: 开关速度慢,影响性能。
    - 解决方案: 检查驱动电路是否正确配置,确保提供足够的门极电流,或者考虑使用更低门电荷的 MOSFET。

    - 问题: 设备在启动时有异常现象。
    - 解决方案: 检查电源电压是否符合要求,确认驱动信号没有干扰或其他外部因素的影响。

    总结和推荐


    FDS6898AZ-F085 双N通道逻辑电平PWM优化电源MOSFET是一款高性能、低功耗的产品,特别适合用于需要快速开关和高效能的应用场合。其低导通电阻、高可靠性以及优秀的温度特性使其成为许多工业和消费电子设备的理想选择。尽管初期投入成本可能略高,但长期来看,其高效的性能将带来显著的成本节约和更好的用户体验。
    推荐指数: ★★★★☆
    总体来说,如果您正在寻找一款适用于低电压和电池供电系统的高效能MOSFET,FDS6898AZ-F085 绝对值得考虑。

FDS6898AZ-F085参数

参数
最大功率耗散 2W
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.821nF@10V
栅极电荷 23nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 9.4A,4.5V
FET类型 2个N沟道
配置
Id-连续漏极电流 9.4A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDS6898AZ-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS6898AZ-F085数据手册

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FDS6898AZ-F085封装设计

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