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NTHS5404T1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.3W(Ta) 12V 600mV@ 250µA (Min) 18nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 30mΩ@ 5.2A,4.5V 5.2A 740pF@ 16V CHIPFET-8 贴片安装 3.05mm*1.65mm*1.05mm
供应商型号: FL-NTHS5404T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTHS5404T1G

NTHS5404T1G概述

    NTHS5404T1 MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    NTHS5404T1 是一款 N 沟道 MOSFET,属于 ChipFET 系列,具有低导通电阻(RDS(on)),能够实现高效电源管理。它适用于便携式和电池供电的产品,如手机、PCMCIA 卡等。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 20 V
    - 栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 持续漏电流 (ID): 7.2 A (TA=25°C),5.2 A (TA=85°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): ±20 A
    - 持续源电流 (IS): 7.2 A (TA=25°C),5.2 A (TA=85°C)
    - 最大功率耗散 (PD): 2.5 W (TA=25°C),1.3 W (TA=85°C)
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 动态特性
    - 总栅极电荷 (QG): 12-18 nC
    - 栅极-源极电荷 (QGS): 2.4 nC
    - 栅极-漏极电荷 (QGD): 3.2 nC
    - 输入电容 (CISS): 740 pF
    - 输出电容 (COSS): 337 pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 88 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8-15 ns
    - 上升时间 (tr): 7-15 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 50-60 ns
    - 下降时间 (tf): 28-40 ns
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 20-25.1 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 0.6 V
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): -100 nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 1.0 μA
    - 导通漏电流 (ID(on)): 20 A
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.025-0.030 Ω (VGS=4.5 V, ID=5.2 A)

    3. 产品特点和优势


    - 低 RDS(on):实现了更高的效率,降低了能量损耗。
    - 逻辑电平门驱动:易于与微控制器和其他逻辑电路接口。
    - 微型 ChipFET 表面贴装封装:节省了电路板空间。
    - 无铅封装:符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 手机和平板电脑中的电源管理。
    - PCMCIA 卡中的电源转换。

    - 使用建议
    - 为了提高散热性能,应在电路板上增加铜箔面积。
    - 使用适当的栅极电阻 (RG) 以优化开关速度。
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热,以避免因过热而损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - NTHS5404T1 可与标准 PCB 设计工具和工艺兼容,确保了广泛的适用性。
    - 支持
    - ON Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,包括在线文档和销售代表支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温下工作时,MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:增加散热措施,例如在电路板上添加更多的铜箔或使用散热片。

    - 问题2:MOSFET 的栅极驱动电压不稳定。
    - 解决方案:使用稳定的电源和滤波电容来改善栅极驱动信号质量。

    7. 总结和推荐


    NTHS5404T1 MOSFET 在便携式和电池供电设备中表现出色,特别是在高效电源管理和紧凑设计方面。其独特的低 RDS(on) 特性使其成为高性能应用的理想选择。综合考虑其性能和可靠性,我们强烈推荐将其用于需要高效能和紧凑设计的应用场合。

NTHS5404T1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 5.2A,4.5V
栅极电荷 18nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 1.3W(Ta)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式hexdrain
Id-连续漏极电流 5.2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV@ 250µA (Min)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 740pF@ 16V
长*宽*高 3.05mm*1.65mm*1.05mm
通用封装 CHIPFET-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTHS5404T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTHS5404T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTHS5404T1G NTHS5404T1G数据手册

NTHS5404T1G封装设计

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