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NTBG014N120M3P

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 337nC@ 18 V 454W(Tc) 6.313nF@800V 20mΩ@ 74A,18V 1.2KV 4.63V@37mA 1个N沟道 D2PAK-7 贴片安装
供应商型号: 4079787
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTBG014N120M3P

NTBG014N120M3P概述

    # Silicon Carbide (SiC) MOSFET NTBG014N120M3P 技术手册解读

    产品简介


    基本信息
    NTBG014N120M3P 是一款高性能的硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),隶属于 EliteSiC 系列。其设计以高效能和低损耗为核心目标,广泛应用于高压电力转换系统。该器件采用 D2PAK-7L 封装形式,具有优良的热管理和电气特性。
    主要功能
    1. 超低导通电阻:典型值仅为 14 mΩ,显著降低开关过程中的能量损耗。
    2. 高电压耐受能力:能够承受高达 1200 V 的漏源电压。
    3. 快速开关性能:极短的开关延迟时间(td(ON))和关断时间(td(OFF))。
    4. 高温工作能力:能够在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内稳定运行。
    应用领域
    1. 太阳能逆变器
    2. 电动汽车充电站
    3. 不间断电源(UPS)系统
    4. 能量存储系统
    5. 开关模式电源(SMPS)

    技术参数


    以下是关键的技术规格汇总表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 1200 | - | - | V |
    | 漏极电流连续值 | ID (TC=25°C) | 150 | - | - | A |
    | 功耗 | PD (TC=25°C) | - | 652 | - | W |
    | 导通电阻 | RDS(on) (VGS=18V) | 14 | 20 | - | mΩ |
    | 门限电压范围 | VGS(th) | 2.08 | 3.0 | 4.63 | V |
    其他关键性能指标包括:
    - 输入电容 CISS:6313 pF
    - 输出电容 COSS:259 pF
    - 反向传输电容 CRSS:27 pF
    - 总栅极电荷 QG(TOT):377 nC
    - 开关损耗 EON 和 EOFF 分别为 1331 μJ 和 620 μJ
    详细电气特性参见产品手册。

    产品特点和优势


    1. 卓越的导通电阻:在同类 SiC MOSFET 中处于领先地位,尤其适用于需要低功耗的设计。
    2. 高可靠性:100% 通过雪崩测试,确保在极端工况下的稳定性。
    3. 快速开关性能:降低开关损耗,提升整体效率。
    4. 宽温域适应性:适合恶劣工业环境。
    5. 高性价比:在同类产品中提供了更优的性能价格比。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例
    - 太阳能逆变器:由于该器件具备极低的开关损耗和高耐压能力,非常适合用于光伏系统的 DC/DC 或 DC/AC 转换。
    - 电动汽车充电桩:结合其高效率特性,可以有效缩短充电时间并降低运行成本。
    - 不间断电源(UPS):增强系统的负载保护能力和动态响应速度。
    使用建议
    1. 优化电路布局:合理布置 PCB 布线,减少寄生电感对开关性能的影响。
    2. 控制驱动电路:使用匹配的栅极驱动芯片,确保良好的门极信号质量。
    3. 散热管理:对于高功率应用,需额外加强散热措施以保证长期运行稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与标准 D2PAK-7L 封装器件完全兼容。
    - 支持主流控制器及驱动器平台,如 Texas Instruments 和 Infineon。
    厂商支持
    - 完善的技术文档与参考设计库。
    - 全球范围技术支持网络。
    - 定期更新产品规格和兼容性说明。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查栅极驱动电阻 RG,适当减小值。 |
    | 温度异常导致性能下降 | 检查散热系统,增加散热片或风扇。 |
    | 开关过程中出现高频振荡 | 增加去耦电容,改善 PCB 布局。 |

    总结和推荐


    综合评估
    NTBG014N120M3P 凭借其出色的导通电阻、快速开关性能和宽温域适应能力,在高压电力电子领域表现出色。其优异的性价比使其成为光伏、电动车、储能等应用的理想选择。
    推荐结论
    强烈推荐给需要高效能功率转换解决方案的工程师。无论是新项目开发还是现有系统的升级,这款器件都能提供可靠且高效的性能支持。

NTBG014N120M3P参数

参数
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 337nC@ 18 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.63V@37mA
最大功率耗散 454W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 74A,18V
最大功率 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.313nF@800V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
通用封装 D2PAK-7
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

NTBG014N120M3P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBG014N120M3P数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P数据手册

NTBG014N120M3P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 184.9168
10+ ¥ 178.3126
100+ ¥ 178.3126
500+ ¥ 178.3126
800+ ¥ 178.3126
1600+ ¥ 178.3126
2400+ ¥ 178.3126
库存: 1033
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