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NTMYS8D0N04CTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 49 A, LFPAK,SOT-669封装, 表面贴装, 4引脚
供应商型号: 3236760
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMYS8D0N04CTWG

NTMYS8D0N04CTWG概述

    NTMYS8D0N04C Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTMYS8D0N04C 是一款适用于多种应用的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要特性包括小封装(5x6 毫米)设计、低导通电阻、低栅极电荷及电容。这款电子元器件广泛应用于电力转换系统、电动机控制、电池管理等领域,特别适合需要高效能、高集成度的场合。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \): 40 V
    - 连续漏极电流(稳态):
    - 在 25°C 下 \( ID \): 49 A
    - 在 100°C 下 \( ID \): 35 A
    - 最大功率耗散(稳态):
    - 在 25°C 下 \( PD \): 38 W
    - 在 100°C 下 \( PD \): 19 W
    - 最大脉冲漏极电流(25°C 下,10 µs 脉宽): 255 A
    - 结温及存储温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 封装热阻:
    - 结到外壳热阻 \( R{\theta JC} \): 4.0 °C/W
    - 结到环境热阻 \( R{\theta JA} \): 39 °C/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \) (10 V 下,15 A 下): 6.7 mΩ 至 8.1 mΩ
    - 输入电容 \( C{ISS} \) (0 V 下,1 MHz 频率下,25 V 下): 625 pF
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 \( td(ON) \): 9.5 ns
    - 上升时间 \( tr \): 24 ns
    - 关闭延迟时间 \( td(OFF) \): 19 ns
    - 下降时间 \( tf \): 6 ns

    产品特点和优势


    - 小型封装:5x6 毫米的封装尺寸为紧凑设计提供了可能,非常适合空间受限的应用。
    - 低导通电阻:最大值为 8.1 mΩ,可显著降低损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷和电容:这些特性可有效减少驱动损耗。
    - 工业标准封装:LFPAK4 封装符合行业标准,便于集成和应用。
    - 无铅和RoHS合规:环保材料,适应现代绿色生产要求。

    应用案例和使用建议


    - 电力转换系统:可用于光伏逆变器、开关电源等系统,提升转换效率。
    - 电动机控制:适合作为电机驱动电路中的开关元件,提高控制精度和响应速度。
    - 电池管理:可用于电动汽车电池管理系统,保证高效充放电。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,避免过热导致的损坏。
    - 选择合适的栅极电阻,以优化开关时间和驱动损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款 MOSFET 与标准的 PCB 设计兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持信息:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和技术支持,涵盖常见问题解答及故障排查指南。客户可通过官方技术支持电话和电子邮件获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 什么是合适的脉冲宽度?
    - A: 脉冲宽度不宜超过 300 μs,且占空比不宜超过 2%。

    - Q: 如何优化导通电阻?
    - A: 确保栅极电压达到阈值电压以上,一般为 2.5 V 到 3.5 V,以保证最佳导通状态。

    总结和推荐


    NTMYS8D0N04C 功率 MOSFET 在紧凑设计、低导通电阻及高性能方面表现出色,适用于多种高要求应用场景。其优良的设计和广泛的适用性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。强烈推荐用于对效率和可靠性要求较高的电力转换和控制领域。

NTMYS8D0N04CTWG参数

参数
最大功率耗散 3.8W(Ta),38W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.1mΩ@ 15A,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 16A,49A
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 625pF@25V
栅极电荷 10nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 30µA
长*宽*高 5mm(长度)
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTMYS8D0N04CTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMYS8D0N04CTWG数据手册

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NTMYS8D0N04CTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.6873
500+ ¥ 6.6873
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