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NTD4963N-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.64W 20V 2.5V 8.1nC@ 4.5V,16.2nC@ 10V 1个N沟道 30V 9.6mΩ@ 10V 44A 1.035nF@ 12V TO-251 通孔安装
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标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4963N-1G

NTD4963N-1G概述


    产品简介


    NTD4963N/D 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要适用于30V以下的应用场景。它具有低导通电阻(RDS(on))、低电容以及优化的栅极电荷等特性,能够有效减少传导损耗、驱动损耗和开关损耗。这款MOSFET提供三种封装形式(DPAK、IPAK和Trimmed Lead IPAK),具有较高的设计灵活性。
    主要应用于CPU电源管理、DC-DC转换器等领域,尤其是适合用作高侧控制器。本手册提供了详细的电气特性、最大额定值和热阻信息,以帮助工程师更好地了解和应用这款产品。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压:VDSS = 30V
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 持续漏电流:TJ = 25°C时,ID = 10.0A;TJ = 85°C时,ID = 7.2A
    - 最大功率耗散:TJ = 25°C时,PD = 1.64W;TJ = 85°C时,PD = 1.1W
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量:EAS = 33.8mJ
    - 铅焊接温度:TL = 260°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V时,ID = 30A下为8.2~9.6mΩ
    - 输入电容:CISS = 1035pF
    - 输出电容:COSS = 220pF
    - 反向转移电容:CRSS = 115pF
    - 总栅极电荷:QG(TOT) = 8.1nC(VGS = 4.5V, VDS = 15V, ID = 30A)
    - 切换特性:
    - 开启延迟时间:td(ON) = 7.0ns(VGS = 11.5V, VDS = 15V, ID = 15A, RG = 3.0Ω)
    - 关闭延迟时间:td(OFF) = 20ns(VGS = 11.5V, VDS = 15V, ID = 15A, RG = 3.0Ω)
    - 上升时间:tr = 17ns(VGS = 11.5V, VDS = 15V, ID = 15A, RG = 3.0Ω)

    产品特点和优势


    NTD4963N/D 的显著特点是其低RDS(on),能够大幅降低传导损耗,从而提高整体效率。同时,它的低电容和优化的栅极电荷设计使得驱动损耗和开关损耗也得以减小。三款不同的封装形式使其在多种应用场景中都能灵活运用,如高侧控制电路。此外,这些器件是无铅、无卤素、无溴化阻燃剂的,并符合RoHS标准,对环境保护起到了积极作用。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于CPU电源管理和DC-DC转换器,如数据中心的服务器、网络设备及汽车电子系统。在实际应用中,可以通过优化栅极驱动电阻来进一步提升性能。例如,选择合适的栅极驱动电阻可以改善开启和关闭速度,进而降低损耗。

    兼容性和支持


    NTD4963N/D 与市场上大多数标准电路板设计相兼容。厂商提供了一系列技术支持服务,包括在线资源、电话和技术论坛支持。同时,用户可以访问官方网站下载详细的技术文档和参考设计,以辅助产品应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开启和关闭延迟时间不稳定?
    解决方案: 调整栅极驱动电阻RG的大小,通常使用较低阻值的电阻可以加快切换速度,但需注意确保电路的稳定性和可靠性。
    2. 问题: 散热问题导致器件过热?
    解决方案: 确保采用适当的散热设计,如使用大面积铜垫并添加散热片。此外,合理分配工作负载,避免长时间满载运行。
    3. 问题: 驱动信号干扰严重?
    解决方案: 在电路中增加去耦电容和磁珠以减少噪声干扰。同时,优化PCB布局,减少信号走线长度,确保良好的接地设计。

    总结和推荐


    综上所述,NTD4963N/D 是一款性能优异的功率MOSFET,在CPU电源管理和DC-DC转换器等应用中表现出色。其低RDS(on)和低电容特性使得能效更高,而丰富的封装选项也增加了设计的灵活性。对于需要高效能和高可靠性的应用场合,强烈推荐使用此款产品。

NTD4963N-1G参数

参数
栅极电荷 8.1nC@ 4.5V,16.2nC@ 10V
最大功率耗散 1.64W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.035nF@ 12V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 44A
Rds(On)-漏源导通电阻 9.6mΩ@ 10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
2.38mm(Max)
6.35mm(Max)
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

NTD4963N-1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4963N-1G数据手册

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NTD4963N-1G封装设计

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