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FDB029N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 231W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 151nC@ 10V 1个N沟道 60V 3.1mΩ@ 75A,10V 120A 9.815nF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: CY-FDB029N06
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB029N06

FDB029N06概述

    # FDB029N06 N沟道 PowerTrench® MOSFET 技术详解

    1. 产品简介


    基本介绍
    FDB029N06 是一款高性能的 N 沟道 PowerTrench® MOSFET,适用于多种高功率和高频应用场景。它由飞兆半导体(现为 ON Semiconductor)设计,采用先进的 PowerTrench 工艺制造,能够实现极低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关性能。
    主要功能
    - 高效低损耗的开关性能。
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),提高能效。
    - 快速开关速度,适合高频应用。
    应用领域
    - 同步整流(如 ATX/服务器/电信电源系统)。
    - 电池保护电路。
    - 电机驱动及不间断电源(UPS)。
    - 可再生能源系统。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | 60 | V |
    | 栅极-源极电压 | ±20 | V |
    | 漏极电流(连续) | 193/136/120 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 1434 | mJ |
    | 击穿电压温度系数 | 0.05 | V/°C |
    | 导通电阻(典型值) | 2.4 | mΩ |
    | 热阻(结到环境,2oz 焊盘) | 62.5 | °C/W |
    | 最大功耗 | 231 | W |

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻:典型值为 2.4 mΩ @ VGS = 10V, ID = 75A,减少能耗。
    - 快速开关:低栅极电荷(Qg)和米勒电荷(Qgd),提升效率。
    - 高可靠性:符合 RoHS 标准,满足绿色环保要求。
    - 集成化工艺:PowerTrench® 技术确保优异的性能和耐用性。
    优势
    - 降低系统总成本,提高能效。
    - 减少热量产生,延长使用寿命。
    - 在多种应用中表现出色,具有高市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - ATX 电源:同步整流,实现高效能电力转换。
    - 储能系统:用于锂电池保护电路,确保稳定供电。
    - 工业设备:电机驱动和 UPS 中的高功率应用。
    使用建议
    - 在高频电路中,建议降低驱动电阻(RG)以优化开关速度。
    - 对于高功率应用,需确保良好的散热管理以避免过热。
    - 使用符合 RoHS 的 PCB 材料,以保证环保合规。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - FDB029N06 支持多种主流电路设计和标准,易于与其他元器件配合使用。
    - 其封装 D2-PAK 兼容大多数模块化设计。
    厂商支持
    - ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和应用指南。
    - 客户可通过技术支持热线和技术论坛获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 降低驱动电阻,优化电路设计 |
    | RDS(on) 显著升高 | 检查工作温度是否超出额定范围 |
    | 导通延迟时间过长 | 增加栅极驱动强度,检查电路连接 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    FDB029N06 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 以其卓越的性能、可靠性及经济性脱颖而出。在高功率、高频应用场景中表现尤为出色,尤其适合需要高效能电力转换的设计。
    推荐结论
    强烈推荐在电源管理系统、电机驱动和储能系统中使用 FDB029N06。它的多功能性和稳定性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。

FDB029N06参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 120A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.815nF@25V
最大功率耗散 231W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1mΩ@ 75A,10V
栅极电荷 151nC@ 10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FDB029N06厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB029N06数据手册

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FDB029N06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 3.5417 ¥ 29.4114
50+ $ 3.389 ¥ 28.8954
100+ $ 3.328 ¥ 28.6374
300+ $ 3.2974 ¥ 28.3794
500+ $ 3.2669 ¥ 28.1214
1000+ $ 3.1753 ¥ 26.8314
5000+ $ 3.1753 ¥ 26.8314
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