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NTH4L028N170M1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 200nC@ 20V 535W 4.23nF@ 800V 40mΩ@ 20V 1.7KV 25V TO-247-4
供应商型号: NTH4L028N170M1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTH4L028N170M1

NTH4L028N170M1概述

    硅碳化物(SiC)MOSFET - EliteSiC 技术手册

    产品简介


    本文档介绍了硅碳化物(SiC)MOSFET(型号为NTH4L028N170M1),它是一款高性能、高效率的电力电子器件。这种MOSFET主要用于功率转换应用,如不间断电源(UPS)、直流-直流变换器(DC-DC Converter)和升压变换器(Boost Converter)。其关键优势在于能够承受高电压(1700V)和低导通电阻(28 mΩ)。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅极至源极电压(VGS):-15/+25 V
    - 漏极至源极电压(VDSS):1700 V
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):363 A(TC=25°C)
    - 最大单脉冲漏极至源极雪崩能量(EAS):450 mJ
    - 最大结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55 至 +175°C
    - 推荐操作条件
    - 漏极连续电流(TC=25°C):81 A
    - 漏极连续电流(TC=100°C):57 A
    - 漏极功耗(TC=25°C):535 W
    - 漏极功耗(TC=100°C):267 W
    - 电性能参数
    - 导通电阻(RDS(on)):28 mΩ(VGS=20 V, ID=60 A, TJ=25°C)
    - 输入电容(CISS):4230 pF
    - 输出电容(COSS):200 pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):200 nC
    - 开关损耗(Etottal):1994 μJ

    产品特点和优势


    1. 超低导通电阻:RDS(on) = 28 mΩ,适用于需要低导通电阻的应用。
    2. 超低栅极电荷:QG(TOT) = 200 nC,可以实现快速开关和高能效。
    3. 高速开关:低栅极电容和低输出电容,确保高速切换能力。
    4. 抗雪崩能力:100%雪崩测试,具有高可靠性。
    5. 无铅、符合RoHS标准:环保友好。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - UPS系统:利用其高可靠性和快速响应能力。
    - DC-DC变换器:在高频条件下工作,以提高转换效率。
    - 升压变换器:处理高电压输入并保持稳定输出。
    - 使用建议:
    - 确保在规定的工作温度范围内运行,避免因过热导致损坏。
    - 在选择外部栅极电阻时,根据具体的负载要求进行调整,以减少开关损耗。
    - 注意在设计电路时要考虑散热措施,尤其是在高功率应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与其他适合高电压应用的SiC MOSFET配合使用。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和在线技术支持,包括数据手册和应用指南,帮助用户解决设计和应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流下器件过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大的散热片或风扇。

    - 问题2:开关频率过高导致损耗增加。
    - 解决方案:适当降低开关频率,并优化栅极电阻值。

    总结和推荐


    NTH4L028N170M1 SiC MOSFET以其超低导通电阻、高速开关和高可靠性成为电力转换领域的理想选择。尽管初期成本较高,但其优异的性能和耐用性使得长期使用中更加经济高效。强烈推荐给追求高性能、高可靠性的电力电子设计师和工程师。
    此款SiC MOSFET不仅适用于高功率转换器,还广泛应用于新能源汽车、工业控制等领域。对于需要在恶劣环境下长期稳定工作的应用,这款器件是一个非常值得信赖的选择。

NTH4L028N170M1参数

参数
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 20V
配置 -
击穿电压 -
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
最大功率耗散 535W
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 25V
栅极电荷 200nC@ 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.23nF@ 800V
FET类型 -
通用封装 TO-247-4
包装方式 管装

NTH4L028N170M1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTH4L028N170M1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTH4L028N170M1 NTH4L028N170M1数据手册

NTH4L028N170M1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 296.556
2000+ ¥ 262.338
3000+ ¥ 253.4793
4000+ ¥ 247.035
库存: 3000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 296556
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