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NSBA114YDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 2 个 PNP 预偏压式(双) 357mW 500nA 50V 100mA SOT-563-6 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: CY-NSBA114YDXV6T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G概述

    Dual PNP Bias Resistor Transistors: Product Overview

    1. 产品简介


    这款由Semiconductor Components Industries推出的Dual PNP Bias Resistor Transistors系列产品(型号包括MUN5114DW1、NSBA114YDXV6、NSBA114YDP6)是专为简化电路设计而设计的电子元件。这些器件集成了一个PNP晶体管及两个内置电阻网络,即串联基极电阻和发射极-基极电阻,从而取代了传统设计中需要单独配置的分立元件。这种集成化设计不仅显著减少了系统成本,还大大节省了PCB空间。它们广泛应用于汽车和其他工业领域,特别适合对可靠性要求较高的环境。

    2. 技术参数


    以下是关键的技术参数和性能指标:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 | - 50 | Vdc |
    | 集电极-发射极电压 | - 50 | Vdc |
    | 集电极电流(连续) | - | 100 | - | mAdc |
    | 输入正向电压 | - 40 | Vdc |
    | 输入反向电压 | - 6 | Vdc |
    | 结温范围 | -55 +150 | °C |
    此外,该系列具备出色的热性能:
    - SOT-363封装:热阻Junction-to-Ambient(单端加热)为670°C/W,双端加热时为493°C/W。
    - SOT-563封装:热阻Junction-to-Ambient(单端加热)为350°C/W,双端加热时为250°C/W。
    - SOT-963封装:热阻Junction-to-Ambient(单端加热)为540°C/W,双端加热时为369°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 高度集成化:通过将两个电阻直接集成到单个芯片中,大幅简化电路设计,减少外部元件的数量。
    - 降低系统成本:减少所需的元件数量和PCB面积,有效控制整体生产成本。
    - 环境友好:符合RoHS标准,无铅、无卤素且无溴化物。
    - 应用广泛:适用于汽车电子、工业控制等领域,满足严苛的工作条件。
    - 高可靠性:AEC-Q101认证表明其经过严格的质量验证,可胜任高可靠性的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子:可用于自动防抱死系统(ABS)、发动机管理系统(EMS)等模块中。
    - 工业自动化:作为信号放大器、继电器驱动器或开关元件,在生产线中广泛应用。
    - 消费类电子:适合作为手持设备中的功率放大组件。
    使用建议
    1. 确保电路设计合理,避免超过最大额定值以防止损坏。
    2. 在高温环境下运行时,需根据热特性适当调整功率限制。
    3. 注意正确安装,确保良好的热传导性能以提高散热效率。

    5. 兼容性和支持


    该系列产品支持多种封装形式(SOT-363、SOT-563、SOT-963),易于与其他标准接口的器件配合使用。同时,ON Semiconductor提供全面的技术支持服务,包括样品申请、测试报告以及详细的用户手册。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致器件失效 | 检查散热设计并优化电路布局 |
    | 输出电流不足 | 调整偏置电阻阻值 |
    | 开关时间过长 | 减少基极驱动电流 |

    7. 总结和推荐


    这款Dual PNP Bias Resistor Transistors凭借其紧凑的设计、优异的性能以及高性价比,在汽车电子和工业控制领域展现出极强的应用潜力。对于追求高效能、低成本的工程师而言,这是一个理想的选择。强烈推荐此系列产品用于需要简化电路设计和节省空间的关键应用场景。
    如需了解更多详细信息,请参考产品数据手册或访问ON Semiconductor官方网站。

NSBA114YDXV6T1G参数

参数
集电极电流 100mA
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
配置
最大功率耗散 357mW
最大集电极发射极饱和电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)
VEBO-最大发射极基极电压 -
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBA114YDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA114YDXV6T1G数据手册

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NSBA114YDXV6T1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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