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NTMFS4H02NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.13W(Ta),83W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 38.5nC@ 10 V 1个N沟道 25V 1.4mΩ@ 30A,10V 37A,193A 2.651nF@12V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NTMFS4H02NT1G
供应商: P&S
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4H02NT1G

NTMFS4H02NT1G概述

    NTMFS4H02N Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS4H02N 是一种单片N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),采用SO-8FL封装,适用于多种高功率应用场景。其关键特性包括:最小化导通损耗和开关损耗、优化封装以减少寄生电感、优化材料以提高热性能,且符合无铅、无卤素、无BFR及RoHS标准。NTMFS4H02N主要应用于高性能直流-直流转换器、系统电压轨、网络通信和电信设备以及服务器和点负载应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDSS):25V
    - 最大门源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):37A(TA=25°C),193A(TC=25°C)
    - 最大功耗(PD):3.13W(TA=25°C),83W(TC=25°C)
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量(EAS):331mJ
    - 漏源电压上升速率(dV/dt):7V/ns
    - 热特性
    - 结-壳热阻(RJC):1.5°C/W
    - 结-环境热阻(RJA):40.0°C/W
    - 电气特性
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):25V
    - 零门电压漏电流(IDSS):1μA(TJ=25°C),20μA(TJ=125°C)
    - 导通特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):1.1mΩ(VGS=10V,ID=30A)
    - 前向跨导(gFS):84S
    - 容抗和电容特性
    - 输入电容(CISS):2651pF
    - 输出电容(COSS):1814pF
    - 反向转移电容(CRSS):103pF

    3. 产品特点和优势


    NTMFS4H02N 的设计注重导通损耗和开关损耗的最小化,通过优化的封装减少了寄生电感,从而提高了整体性能。其采用的材料具有优秀的热性能,使得在高温环境下仍能保持稳定的性能。此外,该器件还符合无铅和无卤素的标准,更环保,更具市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFS4H02N 适用于多种高性能应用场合,例如:
    - 直流-直流转换器:确保高效能转换,降低能量损耗。
    - 服务器和点负载应用:提供稳定的电源管理。
    - 网络通信和电信设备:确保在复杂环境下可靠运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到散热要求,确保良好的热管理措施,如使用大面积铜箔和合理的布局。
    - 选择合适的驱动电路,确保门极电压稳定,以避免开关过程中出现过高的压降。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS4H02N 与其他标准SO-8封装的器件兼容,便于在现有系统中替换或扩展。ON Semiconductor 提供详细的技术文档和客户支持,包括技术指导、故障排查和维护服务,以确保用户获得最佳的使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高负载情况下出现过热。
    - 解决方案: 确保电路板设计具备良好的散热条件,如增加铜箔面积或加装散热片。

    - 问题: 开关频率不稳。
    - 解决方案: 检查电路的门极电阻和驱动信号,确保门极电压波形良好。

    7. 总结和推荐


    NTMFS4H02N 功率MOSFET 在导通损耗和开关损耗上表现出色,且具有出色的热性能和可靠性。其广泛的应用领域使其成为许多高要求电子系统的理想选择。综合考虑其高性能和广泛的应用范围,强烈推荐此产品给需要高性能、高效能解决方案的设计工程师。
    该产品具有显著的优点,不仅适用于各种高功率应用场合,还能满足绿色环保的要求。如果你正在寻找一款高性能、可靠且易于集成的功率MOSFET,NTMFS4H02N 绝对是一个值得考虑的选择。

NTMFS4H02NT1G参数

参数
最大功率耗散 3.13W(Ta),83W(Tc)
Id-连续漏极电流 37A,193A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.651nF@12V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 38.5nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 30A,10V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTMFS4H02NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4H02NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4H02NT1G NTMFS4H02NT1G数据手册

NTMFS4H02NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 39.5698
100+ ¥ 25.2598
500+ ¥ 20.829
1000+ ¥ 19.1436
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