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NGTB40N60IHLWG

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250KW 2V 600V 80A TO-247-3 通孔安装
供应商型号: CY-NGTB40N60IHLWG
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 NGTB40N60IHLWG

NGTB40N60IHLWG概述

    NGTB40N60IHLW/D绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术手册

    产品简介


    NGTB40N60IHLW/D是一款采用场终止技术(Field Stop)的沟槽式绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为苛刻的开关应用而设计。它结合了低饱和电压和最小化的开关损耗,并且集成有软快反向续流二极管。此款IGBT适用于半桥谐振电路等应用,具有无铅环保的优势。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCES ≤ 600 V
    - 集电极电流(TC = 25°C):IC ≤ 80 A
    - 集电极电流(TC = 100°C):IC ≤ 40 A
    - 脉冲集电极电流:ICM ≤ 200 A
    - 二极管正向电流(TC = 25°C):IF ≤ 80 A
    - 二极管正向电流(TC = 100°C):IF ≤ 40 A
    - 二极管脉冲电流:IFM ≤ 200 A
    - 门极-发射极电压:VGE ≤ ±20 V
    - 功率耗散(TC = 25°C):PD ≤ 250 W
    - 功率耗散(TC = 100°C):PD ≤ 50 W
    - 工作结温范围:TJ = -55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:Tstg = -55°C 至 +150°C
    - 焊接引脚温度(离外壳1/8"处):TSLD ≤ 260°C
    - 热特性
    - 结至外壳热阻(IGBT):RJC = 0.87 °C/W
    - 结至外壳热阻(二极管):RJC = 1.46 °C/W
    - 结至环境热阻:RJA = 40 °C/W
    - 电气特性(除非特别说明,TJ = 25°C)
    - 饱和电压:VCEsat ≤ 2.6 V
    - 门极-发射极阈值电压:VGE(th) = 4.5 V 至 6.5 V
    - 门极漏电流(集电极-发射极短路):IGES ≤ 100 nA
    - 输入电容:Cies ≤ 3100 pF
    - 输出电容:Coes ≤ 120 pF
    - 反向传输电容:Cres ≤ 80 pF
    - 门极总电荷:Qg ≤ 130 nC
    - 门极至发射极电荷:Qge ≤ 29 nC
    - 门极至集电极电荷:Qgc ≤ 67 nC
    - 动态特性
    - 开关时间(TJ = 25°C):td(on) ≤ 70 ns,tr ≤ 40 ns,td(off) ≤ 140 ns,tf ≤ 70 ns
    - 关断损耗(TJ = 25°C):Eoff ≤ 0.4 mJ
    - 开关时间(TJ = 150°C):td(on) ≤ 70 ns,tr ≤ 40 ns,td(off) ≤ 140 ns,tf ≤ 90 ns
    - 关断损耗(TJ = 150°C):Eoff ≤ 0.8 mJ
    - 二极管特性
    - 正向电压(TJ = 25°C):VF ≤ 1.3 V
    - 正向电压(TJ = 150°C):VF ≤ 1.35 V
    - 反向恢复时间(TJ = 25°C):trr ≤ 400 ns
    - 反向恢复电荷:Qrr ≤ 5500 nC
    - 反向恢复峰值电流:Irrm ≤ 25 A

    产品特点和优势


    - 低饱和电压:利用沟槽技术结合场终止技术,实现低饱和电压,从而减少系统功耗。
    - 低开关损耗:降低系统的功率消耗,提高整体效率。
    - 低门极电荷:快速开关,减少门极驱动损耗。
    - 软快反向续流二极管:快速而平滑的反向恢复过程,提高可靠性。
    - 无铅材料:环保且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:NGTB40N60IHLW/D适用于各种高频、高功率的开关电源,如感应加热和软开关应用。此外,在半桥谐振电路中的使用也非常普遍。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议使用合理的门极电阻以控制开关时间和开关损耗。根据应用环境,适当调整冷却系统,确保散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该IGBT可以与其他合适的电路和组件兼容,广泛应用于多种开关电源和逆变器中。
    - 支持和维护:ON Semiconductor提供详尽的技术支持,包括技术文档、应用指南和在线客服。如有任何问题,可联系技术支持部门获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:饱和电压偏高,影响系统效率。
    - 解决方案:检查门极电阻值,调整至合适的范围,通常10Ω左右。
    - 问题2:开关损耗过大,影响性能。
    - 解决方案:确保使用合适的驱动电路和适当的门极驱动电压,减少开关损耗。
    - 问题3:正向压降异常高。
    - 解决方案:检查IGBT是否过热,必要时增加散热措施。

    总结和推荐


    NGTB40N60IHLW/D是一款高性能的IGBT产品,适用于需要高效率和可靠性的应用场合。它的低饱和电压和低开关损耗特性使其成为开关电源的理想选择。鉴于其卓越的性能和广泛的应用场景,我们强烈推荐该产品用于工业和商业应用。

NGTB40N60IHLWG参数

参数
配置 -
集电极电流 80A
最大功率耗散 250KW
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 2V
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.08mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

NGTB40N60IHLWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NGTB40N60IHLWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60IHLWG NGTB40N60IHLWG数据手册

NGTB40N60IHLWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.9956 ¥ 17.015
100+ $ 1.9597 ¥ 16.8631
300+ $ 1.9417 ¥ 16.7112
500+ $ 1.9237 ¥ 16.5593
1000+ $ 1.8698 ¥ 15.7997
5000+ $ 1.8698 ¥ 15.7997
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