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NTE4151PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 760 mA, SOT-523 (SC-89)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-NTE4151PT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTE4151PT1G

NTE4151PT1G概述

    NTA4151P/NTE4151P MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NTA4151P 和 NTE4151P 是一款单通道P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型封装(SC-75,SC-89)。这些器件主要用于高侧负载开关、直流到直流转换器和小驱动电路,在电池供电系统如手机、PDA、数码相机等中得到广泛应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-20V
    - 栅源电压(VGS):±6.0V
    - 连续漏极电流(稳态):-760mA
    - 脉冲漏极电流(tp=10μs):±1000mA
    - 环境温度范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 引脚焊接温度:260°C
    - 热阻抗(RθJA):415°C/W(SC-75)/ 400°C/W(SC-89)
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):-20V
    - 栅漏电流(IGSS):±10nA
    - 门限电压(VGS(TH)):-0.45V 至 -1.2V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.26Ω @ -4.5V,ID=-350mA
    - 输入电容(CISS):156pF
    - 门总电荷(QG(TOT)):2.1nC
    - 开关延迟时间(td(ON)):8.0ns

    3. 产品特点和优势


    NTA4151P 和 NTE4151P 的显著特点包括:
    - 低 RDS(on) 值:提高效率并延长电池寿命
    - 小型封装:尺寸仅为 1.6mm × 1.6mm,适合空间受限的应用
    - 铅(Pb)自由、无卤素及溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
    - 栅极静电放电(ESD)保护
    - 支持高频率开关,适合高频电路

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高侧负载开关:用于控制高压电路中的负载。
    - 直流到直流转换器:应用于需要高效能量转换的电源系统。
    - 小驱动电路:适用于电池供电设备,如手机、PDA等。
    - 使用建议:
    - 在设计高侧负载开关时,注意驱动电路的设计以确保MOSFET能够正确工作。
    - 在高频率开关应用中,考虑输出电容的影响,选择合适的电容值以减少寄生振荡。
    - 使用该器件时,应注意散热问题,特别是连续工作的应用中,合理布置散热片以防止过热。

    5. 兼容性和支持


    - 该器件具有较强的兼容性,可以轻松集成到现有的电路板设计中。
    - 厂商提供详细的封装信息和支持文档,方便设计和制造过程中参考。
    - 客户可以通过多种渠道获取技术支持,包括电话和技术支持网站。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时MOSFET发热严重。
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,确保散热良好。如果使用环境温度较高,考虑增加额外的散热措施。

    - 问题2:驱动信号不稳定,导致MOSFET无法正常工作。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动信号的幅度和频率符合MOSFET的要求。使用适当的栅极电阻以稳定信号。

    7. 总结和推荐


    NTA4151P 和 NTE4151P 在设计上充分考虑了效率、尺寸和可靠性,是现代便携式电子产品中理想的MOSFET选择。对于需要高效率、小型化和可靠性的应用场景,推荐使用这两个型号。由于其广泛的应用范围和优异的性能,它们已成为市场上极具竞争力的产品。

NTE4151PT1G参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 2.1nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 760mA
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 156pF@5V
最大功率耗散 313mW(Tj)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 6V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 350mA,4.5V
长*宽*高 1.6mm*850μm*700μm
通用封装 SC-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTE4151PT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTE4151PT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTE4151PT1G NTE4151PT1G数据手册

NTE4151PT1G封装设计

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