处理中...

首页  >  产品百科  >  FDMS86550ET60

FDMS86550ET60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.3W(Ta),187W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 154nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.65mΩ@ 32A,10V 32A,245A 8.235nF@30V QFN 贴片安装 3.3mm*3.3mm*800μm
供应商型号: FL-FDMS86550ET60
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS86550ET60

FDMS86550ET60概述

    # FDMS86550ET60 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术概述

    产品简介


    FDMS86550ET60 是一款高性能 N-Channel PowerTrench® 功率 MOSFET,由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor 的一部分)生产。它采用先进的 PowerTrench 工艺技术设计,旨在实现极低的导通电阻(rDS(on))并保持优异的开关性能。这款 MOSFET 非常适合用于多种电力电子应用,如主直流到直流转换器中的 MOSFET 开关、二次同步整流以及负载开关。

    技术参数


    以下为 FDMS86550ET60 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 型号范围 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | 60 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | 245 / 173 | A |
    | 最大导通电阻 (rDS(on)) | 1.65 / 2.2 | mΩ |
    | 工作温度范围 (TJ) | -55 至 +175 | °C |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 937 | mJ |
    | 功耗 (PD) | 187 / 3.3 | W |
    | 热阻 (RθJC) | 0.8 | °C/W |
    | 热阻 (RθJA) | 45 | °C/W |

    产品特点和优势


    FDMS86550ET60 的显著特点是其极低的导通电阻(最低可达 1.65 mΩ),这使得其非常适合高效率的应用场景。其他主要优势包括:
    - 扩展的工作温度范围(最高至 175°C):适用于严苛的工作环境。
    - 快速开关能力:低栅极电荷和反向恢复时间,提升系统整体性能。
    - 先进的封装设计:MSL1 认证确保高可靠性和长期稳定性。
    - 无卤素环保材料:符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDMS86550ET60 广泛应用于电源管理领域,包括但不限于:
    - 数据中心服务器电源供应模块
    - 通信设备中的高效功率转换
    - 可再生能源逆变器中作为主 MOSFET
    使用建议
    1. 在高温环境中使用时,需确保散热器设计充分以维持稳定的工作状态。
    2. 选择适当的驱动电路来优化切换速度,减少功耗。
    3. 对于大电流负载,建议配合热敏电阻监控器件温度,避免过热。

    兼容性和支持


    FDMS86550ET60 完全兼容现有标准电路板布局,并且可以与其他主流电子元件无缝集成。ON Semiconductor 提供全面的技术支持服务,包括样品申请、设计咨询及售后维护。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热片面积或改进空气流动 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接质量及外围电路连接 |
    | 雪崩模式下失效 | 调整电路参数避免超出额定值 |

    总结和推荐


    综上所述,FDMS86550ET60 是一款高性能且可靠的 N-Channel MOSFET,在众多电力电子应用中表现出色。其卓越的导通电阻、广泛的温度适应性以及高效的开关特性使其成为当今市场上极具竞争力的产品之一。强烈推荐给需要高性能功率管理解决方案的设计工程师们。

FDMS86550ET60参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式quaddraintriplesource
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.235nF@30V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1.65mΩ@ 32A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.3W(Ta),187W(Tc)
Id-连续漏极电流 32A,245A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
栅极电荷 154nC@ 10 V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*800μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS86550ET60厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS86550ET60数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS86550ET60 FDMS86550ET60数据手册

FDMS86550ET60封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.564 ¥ 29.9732
库存: 6000
起订量: 169 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 29.97
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336