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NCP81080MNTBG

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 19ns 2 5.5V 44ns(Typ) 20V 1.2V,1.8V TTL MOSFET,N沟道 17ns 半桥 500mA,800mA DFN-8 贴片安装,黏合安装 2mm(长度)*2mm(宽度)
供应商型号: CY-NCP81080MNTBG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 NCP81080MNTBG

NCP81080MNTBG概述

    # NCP81080 Dual MOSFET Gate Driver Technical Overview

    1. 产品简介


    NCP81080 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器,专门设计用于驱动半桥结构中的 N 沟道 MOSFET。此产品采用自举技术确保高侧功率开关的正确驱动,适用于高压应用(最高可达 180V)。其典型应用包括通信与数据通信设备、隔离与非隔离电源架构、D 类音频放大器、二极管开关及有源钳位正激转换器和电机驱动。
    主要功能
    - 双通道独立驱动低侧和高侧 N 沟道 MOSFET。
    - 高浮动顶部驱动器支持高达 180V 的自举电压。
    - 固定内部死区时间为 135ns,防止交叉导通电流尖峰。
    - 支持高达 500 kHz 的开关频率。
    - 输出电流高达 0.5 A(源)和 0.8 A(沉)。
    应用领域
    - 电信和数据通信设备。
    - 各种隔离和非隔离式电源系统。
    - 音频处理中的 D 类放大器。
    - 正激转换器和电机控制。

    2. 技术参数


    以下是 NCP81080 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 值 | 单位 |
    |
    | 工作电压范围(VDD) | 5.5 至 20 | V |
    | 自举电压范围(VHB) | 180 | V |
    | 开关频率 | 高达 500 kHz | kHz |
    | 输入低电平阈值(VIL) | ≤0.8 | V |
    | 输入高电平阈值(VIH) | ≥2.0 | V |
    | 输出延迟时间(上升/下降) | 44 ns / 30 ns | ns |
    | 死区时间 | 固定 135 ns | ns |
    | 驱动输出峰值电流 | 源 0.5 A,沉 0.8 A | A |
    其他支持的电气特性包括欠压锁定保护、高边与低边驱动独立 UVLO 保护以及宽温操作范围(-40°C 至 170°C)。

    3. 产品特点和优势


    NCP81080 的核心优势体现在以下几点:
    - 高可靠性:内置防交叉导通电路,防止电流尖峰。
    - 灵活性:支持多种供电配置,适用于宽泛的输入电压范围。
    - 高性能:快速响应和低延迟确保高效能开关操作。
    - 紧凑封装:提供 2x2mm 的 DFN 和 SOIC 封装选择,适合空间受限的应用。
    该产品以其高集成度和可靠性在市场上具有强大的竞争力,尤其适用于对性能要求较高的工业和消费类电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用案例
    NCP81080 的典型应用电路包括隔离和非隔离电源架构、D 类音频放大器以及电机驱动系统。例如,在电源设计中,NCP81080 被用来控制高端和低端 MOSFET 的切换,以实现高效的能量转换。
    使用建议
    - 布局优化:为了减少寄生电感的影响,建议将电源引脚(VDD 和 VSS)靠近放置,并保持短而宽的走线。
    - 外部组件选择:对于大电流应用,需选用适当的外部限流电阻以保护内部二极管免受损坏。
    - UVLO 保护:确保输入电压高于 UVLO 阈值才能启动驱动器,避免过早导通。

    5. 兼容性和支持


    NCP81080 的封装兼容标准的 DFN 和 SOIC 封装形式,易于集成到现有设计中。此外,安森美半导体(ON Semiconductor)提供了详尽的技术文档和支持服务,包括参考设计和应用程序指南。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 自举电压无法达到指定水平 | 确保 bootstrap 电容器和限流电阻的正确配置 |
    | 开关频率低于预期 | 检查电源旁路电容的容量和布局 |
    | 内部温度过高 | 改善散热设计,确保足够的热传导路径 |

    7. 总结和推荐


    NCP81080 双 MOSFET 门极驱动器是一款高性能且可靠的产品,适用于需要高速、高效开关性能的各类电源和电机控制应用。其高集成度、灵活的电压范围和良好的性价比使其成为理想的门极驱动器选择。
    推荐等级:⭐⭐⭐⭐⭐
    强烈推荐给需要高效率、高可靠性的设计工程师,特别是在高频开关应用中表现卓越。

NCP81080MNTBG参数

参数
栅极类型 MOSFET,N沟道
最小工作供电电压 5.5V
最大传播延迟时间 44ns(Typ)
输入类型 TTL
最大高压侧电压-自举 -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 500mA,800mA
驱动数量 2
上升时间 19ns
最大工作供电电压 20V
驱动配置 半桥
下降时间 17ns
逻辑电压 - VIL,VIH 1.2V,1.8V
通道类型 -
长*宽*高 2mm(长度)*2mm(宽度)
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCP81080MNTBG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NCP81080MNTBG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 ON SEMICONDUCTOR NCP81080MNTBG NCP81080MNTBG数据手册

NCP81080MNTBG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5102 ¥ 4.3904
300+ $ 0.5055 ¥ 4.3508
500+ $ 0.5009 ¥ 4.3113
1000+ $ 0.4868 ¥ 4.1135
5000+ $ 0.4868 ¥ 4.1135
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