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NCV5104DR2G

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 85ns 2 10V 20V 800mV,2.3V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N沟道 35ns 半桥 250mA,500mA SOIC-8 贴片安装,黏合安装
供应商型号: NCV5104DR2G
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 NCV5104DR2G

NCV5104DR2G概述

    # NCP5104/NCV5104 高压高侧和低侧功率栅极驱动器技术手册

    产品简介


    基本介绍
    NCP5104 和 NCV5104 是高性能高压功率栅极驱动器,设计用于直接驱动两颗 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,在半桥配置中运行。此器件通过自举技术实现高侧功率开关的正确驱动,同时支持低压侧和主电源供电。适用于多种应用,包括但不限于半桥功率转换器。
    主要功能
    - 支持高电压范围(最高可达600V)
    - 高dv/dt抗扰能力(±50V/ns)
    - 驱动电压范围:10V至20V
    - 提供高侧和低侧输出驱动
    - 输出源/灌电流能力:250mA/500mA
    - 逻辑兼容:3.3V和5V输入逻辑
    - 输入引脚最大支持 VCC 摆幅
    - 扩展允许的负桥端子电压摆幅(最高至-10V)
    - 内置固定死区时间:520ns
    - 双通道欠压锁定(UVLO)
    应用领域
    - 半桥功率转换器
    - 电动车及其他新能源应用
    - 工业控制与自动化设备

    技术参数


    以下是 NCP5104/NCV5104 的关键电气特性:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 主电源电压范围 | -0.3 20 | V |
    | 启动电压阈值(VCCstup) | 8.0 | 8.9 | 9.8 | V |
    | 关闭电压阈值(VCCshtdwn) | 7.3 | 8.2 | 9.0 | V |
    | 启动电压阈值(VBOOTstup) | 8.0 | 8.9 | 9.8 | V |
    | 关断电压阈值(VBOOTshtdwn)| 7.3 | 8.2 | 9.0 | V |
    | 输出高侧驱动延迟(tON) | 620 | 800 | ns |
    | 输出低侧关断延迟(tOFF) | 100 | 170 | ns |
    | 死区时间(DT) | 400 | 520 | 650 | ns |
    工作环境:
    - 结温范围:-40°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    独特功能
    - 集成自举技术:简化设计并减少外部元件需求。
    - 高 dv/dt 抗扰能力:适用于高速开关应用。
    - 高可靠性:支持汽车和工业应用的严格要求。
    市场竞争力
    - 通用封装(SOIC-8 和 PDIP-8),易于集成到现有电路。
    - 兼容性高:与主流控制器及电源管理 IC 配套使用无障碍。
    - 环保合规:无铅、无卤化物,RoHS 认证。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    1. LLC谐振转换器:
    - 使用示例见图1。
    - 建议优化:确保 VBOOT 和 VCC 稳定供电。
    2. 半桥转换器:
    - 使用示例见图2。
    - 建议:调整死区时间以匹配负载需求。
    使用建议
    - 为提高效率,尽量保持驱动电压稳定(10V 至 20V)。
    - 在高速开关时需注意 dv/dt 干扰,建议增加滤波电容。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 可与常见控制器芯片(如 MC34025、SG3526)协同工作。
    - 符合 AEC-Q100 标准,适合车规级应用。
    支持和服务
    - 提供详细的数据手册和技术支持。
    - 可申请样片,便于原型开发。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳 | 检查 VBOOT 和 VCC 是否稳定 |
    | 死区时间异常 | 确认内部固定死区时间设置正确 |
    | 启动失败 | 检查启动电压阈值是否符合规范 |

    总结和推荐


    综合评估
    NCP5104/NCV5104 是一款高效、可靠的高压功率栅极驱动器,适合多种高压应用场景。其优越的抗扰能力和集成自举技术显著提升了系统设计的灵活性和稳定性。
    推荐结论
    强烈推荐用于需要高可靠性、紧凑设计的高压电力应用中。无论是工业自动化还是新能源领域,它都表现出色。
    最终评分:★★★★★(5/5)

NCV5104DR2G参数

参数
通道类型 -
最大工作供电电压 20V
上升时间 85ns
输入类型 Non-Inverting
下降时间 35ns
驱动数量 2
栅极类型 IGBT,MOSFET,N沟道
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 250mA,500mA
最小工作供电电压 10V
驱动配置 半桥
最大高压侧电压-自举 600V
最大传播延迟时间 -
逻辑电压 - VIL,VIH 800mV,2.3V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCV5104DR2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NCV5104DR2G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 ON SEMICONDUCTOR NCV5104DR2G NCV5104DR2G数据手册

NCV5104DR2G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 9
5000+ ¥ 8.775
10000+ ¥ 8.625
20000+ ¥ 8.55
库存: 5000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
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合计: ¥ 22500
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