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NCD5702DR2G

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 9.2ns 1 20V 75ns 30V 750mV,4.3V Non-Inverting IGBT 7.9ns 低压侧,高压侧 7.8A,6.8A SOIC-16 贴片安装,黏合安装
供应商型号: FL-NCD5702DR2G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 NCD5702DR2G

NCD5702DR2G概述

    NCD5702 高电流IGBT门极驱动器技术手册

    1. 产品简介


    NCD5702是一款专为高功率应用设计的高电流、高性能独立式IGBT驱动器。典型应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源(UPS)。该器件通过消除许多外部组件提供了成本效益的解决方案。产品具有多种保护功能,如主动米勒钳位、准确的UVLO、EN输入、过压检测(DESAT)保护及主动开漏故障输出。此外,驱动器还提供一个准确的5.0V输出,并具有分离的高低侧驱动输出(VOH和VOL),方便系统设计。

    2. 技术参数


    - 工作电压范围: VCC−VEE:30V,VCC:UVLO到20V,VEE:−15到0V
    - 输入电压范围: VIN:0到5V,VEN:0到5V
    - 环境温度范围: TA:−40到125°C
    - 绝对最大额定值:
    - 差分电源供电:VCC−VEE:0到36V
    - 正电源供电:VCC−GND:−0.3到22V
    - 负电源供电:VEE−GND:−18到0.3V
    - 驱动输出高:VOH−GND:VCC+0.3V
    - 驱动输出低:VOL−GND:VEE−0.3V
    - 典型应用参数:
    - 启动电压阈值:VUVLO−OUT−ON:13.2到13.8V
    - 关闭电压阈值:VUVLO−OUT−OFF:12.2到12.8V
    - 热关断温度:TSD:188°C
    - 驱动电流:
    - 源电流:IPK−src1:7.8A,IPK−src2:4.0A
    - 灌电流:IPK−snk1:6.8A,IPK−snk2:6.1A

    3. 产品特点和优势


    NCD5702的主要特点包括:
    - 高电流输出:在IGBT米勒平台电压时提供+4/-6A的输出电流。
    - 低输出阻抗:在VOH和VOL上降低输出阻抗,提高IGBT驱动能力。
    - 快速传播延迟:确保精确匹配。
    - 与数字隔离器/光电耦合器/脉冲变压器直接接口,实现隔离驱动和逻辑兼容性。
    - 主动米勒钳位:防止误触发的栅极开启。
    - 过压检测保护:可编程延迟。
    - 使能输入:实现独立的驱动控制。
    - 宽电源电压范围:包括负VEE能力。
    - 具有无铅、无卤素和符合RoHS标准的特点。

    4. 应用案例和使用建议


    NCD5702广泛应用于太阳能逆变器、电机控制和不间断电源(UPS)等领域。例如,在太阳能逆变器中,可以使用NCD5702来驱动IGBT,实现高效的能量转换。使用时应注意以下几点:
    - 在驱动大容量IGBT时,应考虑选择适当的栅极电阻以避免内部保护电路被触发。
    - 负电源(VEE)的应用有助于提高关闭阶段的驱动电流。
    - 在驱动小容量IGBT时,较高值的栅极电阻可以减少驱动电流需求。

    5. 兼容性和支持


    NCD5702支持与数字隔离器、光电耦合器或脉冲变压器直接接口,实现隔离驱动。该产品具有广泛的电源电压范围,包括负VEE能力,这使其适用于各种不同的电源条件。厂商提供了详尽的技术支持和维护文档,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 当驱动大容量IGBT时,如何避免内部保护电路被触发?
    - 解决方案: 可通过调整栅极电阻值,确保负载RC时间常数在合理范围内。

    - 问题: 如何正确使用EN输入?
    - 解决方案: 将EN引脚设置为高电平时,可关闭驱动器输出;低电平允许正常工作。

    7. 总结和推荐


    NCD5702是一款优秀的高电流IGBT驱动器,具备宽泛的工作电压范围和高可靠性。其独特功能和优越性能使其成为太阳能逆变器、电机控制和不间断电源等高功率应用的理想选择。强烈推荐此产品用于需要高可靠性和高性能IGBT驱动的应用场景。

NCD5702DR2G参数

参数
逻辑电压 - VIL,VIH 750mV,4.3V
最大工作供电电压 30V
最小工作供电电压 20V
驱动配置 低压侧,高压侧
通道类型 -
栅极类型 IGBT
输入类型 Non-Inverting
驱动数量 1
最大高压侧电压-自举 -
上升时间 9.2ns
下降时间 7.9ns
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 7.8A,6.8A
最大传播延迟时间 75ns
通用封装 SOIC-16
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCD5702DR2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NCD5702DR2G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 ON SEMICONDUCTOR NCD5702DR2G NCD5702DR2G数据手册

NCD5702DR2G封装设计

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