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A2T18H100-25SR3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: RF Power LDMOS Transistor
供应商型号: CY-A2T18H100-25SR3
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) A2T18H100-25SR3

A2T18H100-25SR3概述

    # Freescale Semiconductor A2T18H100-25SR3 技术分析

    产品简介


    基本描述
    A2T18H100-25SR3 是由 Freescale Semiconductor(现为 NXP Semiconductors 的一部分)设计的一款高功率射频(RF)电子元器件,主要用于蜂窝基站的通信设备中。它是一款基于Lateral MOSFET(横向金属氧化物半导体场效应晶体管)的高效率单极性增强模式器件,支持不对称Doherty放大器结构,专用于频率范围 1805 至 1995 MHz 的通信系统。
    主要功能
    - 高频段覆盖:适用于4G/LTE通信标准,如W-CDMA、GSM等。
    - 高性能Doherty配置:支持高功率、高效率和线性化传输信号,特别适用于通信基站。
    - 数字前向校正系统兼容性:可通过数字前向校正系统进行非线性误差补偿。
    - 耐用设计:采用先进封装工艺,提升整体耐久性和可靠性。
    应用领域
    A2T18H100-25SR3 主要应用于移动通信基站设备中,包括但不限于:
    - W-CDMA蜂窝网络基础设施。
    - LTE和4G通信系统。
    - 高效无线信号处理与放大。

    技术参数


    以下是从产品技术手册中提取的技术参数表:
    | 参数 | 典型值 | 单位 |
    |
    | 输出功率 | 18 W 平均值 | W |
    | 电压范围 | 28 Vdc | V |
    | 输入频率范围 | 1805–1995 MHz | MHz |
    | 效率 | 50.2% | % |
    | 增益 | 18.1 dB | dB |
    | 输入信号PAR | 9.9 dB | dB |
    | ACPR(邻信道功率比) | -31.0 dBc | dBc |
    此外,还提供了详细的热阻值(RθJC=0.74°C/W)和存储温度范围(-65 至 +150°C),充分体现了其在恶劣工作条件下的适应能力。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 高效Doherty架构:采用先进的内包Doherty技术,在18 W平均输出功率下,效率高达50.2%,显著减少能耗。
    2. 扩展的工作电压范围:支持负栅源电压调整,改善了Class C类功放性能。
    3. 数字预失真兼容性:优化非线性误差,支持数字信号处理(DSP)和误差校正系统。
    市场竞争力
    - 在相同功率水平下,A2T18H100-25SR3的效率和线性度指标优于许多同类产品。
    - 可以减少功耗和发热,从而延长设备寿命,降低运维成本。
    - 小尺寸封装,易于集成到现有基站设备中。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例
    1. 蜂窝通信基站:用于支持大规模蜂窝网络中的多载波W-CDMA信号发射。
    2. LTE/4G网络:提供高效能量转换和稳定的信号输出,满足长期高负荷运行需求。
    使用建议
    - 工作环境:确保设备在-40至+150°C的工作温度范围内运行,避免过热或低温导致性能下降。
    - 负载匹配:根据负载特性,优化负载匹配电路,以实现最大输出功率和最佳效率。
    - 温度管理:使用高效的散热机制,如主动风冷或液冷系统,以保持器件在高温状态下的稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    A2T18H100-25SR3 与其他主流通信芯片组和基站设备具有良好的兼容性。例如:
    - 支持多种无线通信协议(W-CDMA、LTE、GSM)。
    - 能够与其他高频率LDMOS器件协同工作,形成多级功率放大器结构。
    厂商支持
    - Freescale Semiconductor 提供全面的技术文档和研发支持。
    - 可通过官网访问MTTF(平均无故障时间)计算器及热管理指南,优化设备的使用寿命和可靠性。

    常见问题与解决方案


    以下是根据手册整理的一些常见问题及解决办法:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致设备降额 | 使用更大的散热片或风扇,优化热管理系统。 |
    | 输出功率不足 | 检查负载匹配电路,确保与器件性能匹配。 |
    | ACPR指标异常 | 调整偏置电压和信号输入参数,优化信号质量。 |

    总结和推荐


    综合评估
    A2T18H100-25SR3 是一款高性能的RF功率放大器,其关键优势在于高效率、宽频率覆盖和高可靠性。它特别适合现代蜂窝通信基站中对高功率、低功耗需求的应用场景。从其紧凑的设计和灵活的温度适应能力来看,这款器件完全符合未来通信网络的需求。
    推荐使用
    强烈推荐A2T18H100-25SR3 用于需要高效、稳定工作的射频功率放大器应用。对于任何要求苛刻的通信基站设备,这款器件无疑是最佳选择之一。

A2T18H100-25SR3参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
20.7mm(Max)
9.91mm(Max)
4.32mm(Max)
通用封装 NI-780-4S4
安装方式 底座安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

A2T18H100-25SR3厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

A2T18H100-25SR3数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS A2T18H100-25SR3 A2T18H100-25SR3数据手册

A2T18H100-25SR3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 121.2059 ¥ 981.8676
25+ $ 116.1973 ¥ 964.9388
50+ $ 111.1888 ¥ 948.01
100+ $ 109.1854 ¥ 939.5457
300+ $ 108.1837 ¥ 931.0813
500+ $ 107.182 ¥ 922.6169
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