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AFV141KGSR5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 910W 6V,10V 1.8V 1个N沟道 -500mV,105V 2.6A NI-1230-4S 贴片安装
供应商型号: QNH-AFV141KGSR5
供应商: NXP直供
标准整包数: 50
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) AFV141KGSR5

AFV141KGSR5概述

    # Airfast RF Power LDMOS Transistors: AFV141KH, AFV141KHS, AFV141KGS 技术手册

    产品简介


    Airfast RF Power LDMOS 晶体管是恩智浦半导体(NXP)推出的高可靠性增强型横向 MOSFET 器件系列,专为1200至1400 MHz频段的商业应用设计,典型应用包括商用L波段雷达系统。这些器件内部集成了输入和输出匹配电路,适合宽带操作,同时提供多种配置选项以满足不同设计需求。
    主要特点:
    - 高鲁棒性:支持高达20:1的电压驻波比(VSWR),具备出色的工作稳定性。
    - 易于使用:内部匹配设计简化了射频电路的设计和布局。
    - 多功能性:支持单端、推挽及正交配置。
    - 高效率:典型功率增益为16.0–19.5 dB,漏极效率达到46%-52.1%。
    应用领域:
    - 商用L波段雷达系统。
    - 军事通信及广播设备。
    - 无线基站和信号放大设备。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | -0.5 | — | +105 | Vdc |
    | 栅源电压 (VGS) | -6.0 | — | +10 | Vdc |
    | 静态功耗 (PD) | — | — | 910 | W |
    | 漏源导通电阻 (VDS(on)) | 0.05 | 0.16 | 0.35 | Vdc |
    | 漏栅泄漏电流 (IGSS) | — | — | 1 | μAdc |
    | 射频功率输出 (Pout) | — | 1000 | — | W |
    | 功率增益 (Gps) | 16.0 | 17.7 | 19.5 | dB |
    | 漏极效率 (ηD) | 46.0 | 52.1 | — | % |
    工作环境:
    - 存储温度范围:-65°C 至 +150°C
    - 结温范围:-40°C 至 +225°C
    - 热阻 (ZθJC):0.018 °C/W

    产品特点和优势


    1. 集成化设计:内部匹配电路大大减少了外部元器件的数量,从而简化了设计并提高了整体性能。
    2. 高鲁棒性:能够承受极端负载条件下的电压驻波比变化,提升了系统的可靠性。
    3. 灵活性强:支持多种工作模式,适应各种复杂的射频应用需求。
    4. 高效能表现:在典型条件下可实现较高的功率增益和漏极效率,保证了长寿命的运行。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    - 商用L波段雷达系统:如气象监测雷达、机场交通控制雷达等。
    - 高频信号放大器:如广播发射机、卫星地面站放大器等。
    使用建议:
    1. 电路布局优化:在设计时需确保射频走线尽可能短且无多余辐射损耗。
    2. 散热管理:使用高效的散热器并结合热导胶改善散热效果。
    3. 静电防护:为避免损坏,应在安装过程中采取有效的防静电措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持标准PCB设计工具进行布线和仿真。
    - 可与多种射频前端模块配套使用。
    支持信息:
    - 提供详细的软件工具包和开发板,方便快速上手。
    - 技术文档涵盖应用指南、测试规范等内容。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 检查散热装置是否有效,调整风扇速度。 |
    | 信号失真严重 | 检查射频匹配网络设置是否正确。 |
    | 无法正常启动设备 | 核实电源连接是否稳定,检查栅极驱动电路。|

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:强大的鲁棒性、高效的性能、灵活的应用场景使其成为高性能射频功率放大器的理想选择。
    - 适用性:特别适合需要高频、高功率输出的工业及国防领域。
    推荐程度:
    强烈推荐。无论是在商用还是军用雷达系统中,AFV141KH 系列都展现出卓越的技术优势,能够帮助设计师显著提升产品性能并降低成本。

AFV141KGSR5参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -500mV,105V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2.6A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 6V,10V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
通道数量 2
最大功率耗散 910W
配置 -
32.39mm(Max)
10.29mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 NI-1230-4S
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AFV141KGSR5厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

AFV141KGSR5数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS AFV141KGSR5 AFV141KGSR5数据手册

AFV141KGSR5封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 505.2443 ¥ 4294.5761
250+ $ 485.0345 ¥ 4122.7931
500+ $ 464.8247 ¥ 3951.01
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